| 1 |
1
기체가 이동하는 유로에 위치되어 기체 내 오염물질을 감지하는 센서; 및상기 센서로 이동하는 기체의 유로에 위치하며 기체 내 오염물질이 흡착되는 흡착제, 상기 흡착제와 인접하게 위치하며 상기 흡착제로부터 서로 다른 오염물질을 개별 탈착시키는 탈착수단을 포함하여 농축된 오염물질을 상기 센서로 전달시키는 농축부;를 포함하는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 흡착제는 복수개로 배열되되, 적어도 둘 이상은 서로 다른 소재로 구비되어 각각 다른 오염물질이 흡착되며,상기 탈착수단은 각각의 흡착제와 인접하게 위치하여 각각의 흡착제에 흡착된 오염물질을 탈착시키는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 흡착제는 다공성 흡착구조체로, 상기 유로를 구획하도록 설치되고,상기 탈착수단은 상기 흡착제의 외주면을 감싸도록 설치되는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 탈착수단은 발열구조체로, 상기 유로를 구획하도록 설치되고,상기 흡착제는 상기 다공성 구조체의 표면에 코팅된 흡착물질을 포함하는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 발열구조체는 철(Fe), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 탄탈럼(Ta) 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 발열구조체는 탄화규소(SiC)계, 몰리브덴 실리사이드(MoSi2)계, 탄소계 및 지르코니아계 중 어느 하나의 발열체인 저농도 대기 오염물질 선택적 검출장치
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,흡착물질은 실리카겔, 활성 알루미나, 합성비석, 목탁, 골탄, 활성탄, 금속유기구조체(MOF; metal organic frameworks), 초가교 고분자(HPR; hypercrosslinked polymeric resin) 및 제올라이트(zeolites)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 저농도 대기 오염물질 선택적 검출장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,외부로부터 유입된 기체가 상기 센서로 이동되는 메인유로를 형성하는 메인라인;상기 메인유로에 위치되는 상기 농축부; 및상기 농축부와 상기 센서 사이에 위치하며 상기 메인유로로부터 분기된 서브유로를 형성하는 서브라인;을 포함하는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,상기 농축부는 복수개로 구비되며 메인유로에 상호 병렬로 연결되는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 장치
|
| 10 |
10
기체에 포함된 서로 다른 오염물질이 농축부에 포함된 서로 다른 소재의 흡착제에 각각 흡착되는 단계를 포함하는 흡착모드; 및상기 흡착제에 인접하게 위치하는 탈착수단에 의해 상기 흡착제로부터 서로 다른 오염물질이 개별 탈착되어 센서로 이동하는 단계를 포함하는 탈착모드;를 포함하며,상기 흡착모드 및 상기 탈착모드는 선택적으로 이루어지는 저농도 대기 오염 물질 선택적 검출 방법
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서,상기 흡착모드는 메인유로가 개방되며 상기 메인유로에 위치하는 상기 농축부에 기체가 유입되는 단계, 상기 각 흡착제에 각각 다른 오염물질이 흡착되는 단계, 상기 흡착제를 통과한 기체가 상기 메인유로로부터 분기된 서브유로를 통해 배출되는 단계,를 포함하고,상기 탈착모드는 상기 흡착제 각각에 인접하게 위치하는 탈착수단 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 탈착수단에 의해 상기 흡착제로부터 오염물질이 탈착되는 단계, 상기 탈착된 오염물질이 메인유로를 따라 센서로 이동하는 단계, 상기 센서가 오염물질의 농도를 포함하는 정보를 측정하는 단계를 포함하는 저농도 대기 오염물질 선택적 검출 방법
|
| 12 |
12
제 10항에 있어서,상기 흡착모드 시, 설정된 일정 시간이 경과할 경우, 상기 탈착모드가 진행되는 저농도 대기 오염 물질 선택적 검출 방법
|
