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기판과;상기 기판의 상측에 배치되고 하나 이상의 나노선으로 구성되며 조사되는 빛에 따라 광전효과를 발생하는 나노선층과;상기 기판의 상면에 각각 배치되고 상기 나노선층의 양단에 각각 연결된 한 쌍의 컨택전극층을 포함하고,상기 나노선층은 상기 나노선층의 양단 부위가 상기 한 쌍의 컨택전극층에 의해 각각 지지됨으로써 상기 기판과 접촉됨이 없이 상기 기판으로부터 상측으로 이격되며 현가되는 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 나노선은 III-V족 화합물 조성인 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 나노선은 InAs 조성인 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 기판은 상면에 형성된 옥사이드층을 더 포함하고, 상기 한 쌍의 컨택전극은 상기 옥사이드층 상면에 배치되고 상기 나노선층은 상기 옥사이드층으로부터 상측으로 이격되며 현가되는 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제4항에 있어서,상기 옥사이드층은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 하프늄(Hf) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 산화물 또는 질화물 또는 상기 산화물 및 질화물의 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 나노선은 길이가 10㎛ 이상의 범위이고 직경이 70~130㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 컨택전극층은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄 실리사이드(TiSi), 탄탈륨 실리사이드(TaSi), 알루미늄(Al), 알루미늄-구리 합금(Al-Cu), 알루미늄-구리-실리콘 합금(Al-Cu-Si), 텅스텐 실리사이드(WSi), 구리(Cu), 텅스텐-티타늄(TiW), 금(Au) 및 텅스텐-금(Ti/Au)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 구성된 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 나노선층 내부의 열은 상기 기판으로 발산되지않고 상기 나노선층의 양단 부위에서 상기 열의 일부가 상기 한 쌍의 컨택전극층으로 발산되어나가는 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 광전효과에 의해 생성되는 전류는 상기 빛의 세기에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 나노선층이 상기 기판으로부터 상측으로 이격되는 거리는 200㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 포토디텍터
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기판상에 옥사이드층을 형성하는 단계와; 상기 옥사이드층 상에 한 쌍의 컨택전극층을 형성하는 단계와;상기 옥사이드층 상에서 상기 한 쌍의 컨택전극층 간에 인접되게 전자빔 레지스트층을 형성하는 단계와;상기 레지스트층 상부와 상기 한 쌍의 컨택전극층 상부의 적어도 일부에 걸쳐 하나 이상의 나노선으로 구성되고 조사되는 빛에 따라 광전효과를 발생하는 나노선층을 형성하는 단계와;전자빔 노출 및 리프트 오프 공정으로 상기 전자빔 레지스트 패턴층을 제거한 후, 상기 한 쌍의 컨택전극층 상부에 존재하는 상기 나노선층을 샌드위칭하도록 상기 한 쌍의 컨택전극층을 더 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노선층을 형성하는 단계에서 상기 나노선은 분자빔 에픽터시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 나노선층을 형성하는 단계에서 상기 나노선층은 분자빔 에픽터시(MBE)로 성장시킨 상기 나노선의 용액을 상기 레지스트층 상부와 상기 한 쌍의 컨택전극층 상부의 적어도 일부에 드롭 캐스팅하여 코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 전자빔 레지스트층은 폴리(퍼플루오로-부테닐 비닐 에테르), 플루오리네이티드(에틸레닉-사이클로 옥시알리패틱 치환 에틸레닉)코폴리머, 폴리[(테트라플루오로에틸렌-코-(2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,4-디옥솔)], 폴리(클로로메타크릴레이트-코-메틸스티렌) 및 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 중에서 선택된 하나 이상의 조성으로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
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