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조사되는 광의 입사 표면에 투명 재질의 커버 층이 형성된 광 기전 디바이스의 커버 층 상에 형성된 복수의 콜로이드 입자들의 광 결정 단층막;상기 콜로이드 입자들과 커버 층 표면에 의하여 경계가 정하여지는 공극을 충진하여 콜로이드 입자들 각각을 상기 투명 재질의 커버 층에 고정시키는 고정화 층; 및상기 복수의 콜로이드 입자들의 광 결정 단층막 상에 형성된 소수성 고분자 코팅층;을 포함하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제1항에 있어서, 상기 광 기전 디바이스는 무기반도체 기반 태양 전지, 유기물 기반 태양 전지 또는 유기-무기물 접합(heterojunction) 태양 전지인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제1항에 있어서, 상기 투명 재질의 커버 층은 글라스 커버 층 및/또는 플라스틱 커버 층인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제1항에 있어서, 상기 커버 층의 재질은 규소/규소산화물 재질의 글라스, 석영 커버글라스, ITO, ZnO, TiO2, 폴리디메틸실록산, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 및 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나(공중합체 또는 이의 혼합물 포함)인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제1항에 있어서, 상기 투명 재질의 커버 층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 광 결정 단층막을 형성하는 콜로이드 입자의 사이즈(직경)는 0
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제6항에 있어서, 상기 광 결정 단층막은 육방 구조로 밀집된 형태로서,상기 광 결정 단층막의 투과 스펙트럼 딥(dip)/피크(peak) 위치(λd)는 하기 수학식 1에 따른 관계가 충족되는 것을 특징으로 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물:[수학식 1]λd = (3)1/2D × neff/2m상기 식에서, m은 회절 차수(order of diffraction)이고,D는 콜로이드의 직경이며, 그리고neff는 (nc2fc + na2(1-fc))1/2로서, nc 및 na는 각각 콜로이드의 굴절률 및 공기의 굴절율(na=1)이고, 그리고 fc는 육방구조의 조밀 콜로이드 결정에서 0
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제1항에 있어서, 상기 고정화 층은 폴리우레탄계, 폴리디메틸실록산계, NOA계, 에폭시계 및 아크릴계로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 재질인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제1항에 있어서, 상기 고정화 층의 재질은 폴리디메틸실록산 및 불화계 화합물이 중량 기준으로 1 : 1 내지 20의 비율로 조합된 것이고
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제1항에 있어서, 상기 소수성 고분자 코팅층은 25 mN/m 이하의 표면 에너지 및 적어도 100°의 수접촉각을 나타내는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제10항에 있어서, 상기 소수성 고분자 코팅층의 재질은 불화 고분자, 실리콘 고분자 및 올레핀계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제11항에 있어서, 상기 불화 고분자는 폴리테트라플루오로에틸렌, 개질된 테트라플루오로에틸렌, 퍼플루오로화알콕시 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴 플로오라이드의 3원중합체, 폴리비닐리덴 플루오라이드 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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제1항에 있어서, 상기 소수성 고분자 코팅층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 광 결정 단층막의 재질은 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리프로필아크릴레이트, 폴리이소프로필아크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리펜틸아크릴레이트, 폴리펜틸메타크릴레이트, 폴리글리시딜메타크릴레이트, 폴리사이클로헥실아크릴레이트, 폴리(2-에틸헥실아트릴레이트), 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산폴리비닐 아세테이트, 폴리아크릴로나이트릴 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물
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a) 조사되는 광의 입사 표면에 투명 재질의 커버 층이 형성된 광 기전 디바이스를 제공하는 단계;b) 상기 커버 층 상에 복수의 콜로이드 입자들의 광 결정 단층막을 형성하는 단계;c) 상기 콜로이드 입자들과 커버 층 표면에 의하여 경계가 정하여지는 공극에 고정화 충진재를 주입하여 콜로이드 입자의 광 결정 단층막을 상기 투명 재질의 커버 층에 고정시키는 단계; 및d) 상기 광 결정 단층막 상에 소수성 고분자 코팅을 형성하는 단계;를 포함하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물을 제조하는 방법
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제15항에 있어서, 상기 단계 b)는,상기 커버 층 상에 규칙적으로 배열된 콜로이드 입자들의 어레이(array)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물을 제조하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 단계 b)는,콜로이드 입자들의 분산물을 수계 매질의 표면 상에 부유시킨 다음, 이를 상기 커버 층과 접촉시켜 콜로이드 입자들을 커버 층에 전사하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 광 결정 단층막 기반의 태양 전지용 루프 구조물을 제조하는 방법
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