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플레이트 구조의 베이스 기재; 및 상기 베이스 기재의 일면으로부터 돌출되고, 변형시 응력(stress) 집중 현상을 감소시키는 오그재틱(auxetic) 구조를 포함하는, 스트레처블 기판
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제1항에 있어서, 상기 오그재틱 구조는 복수의 단위 패턴들이 규칙적으로 그리고 반복적으로 연결된 구조를 갖고, 상기 단위 패턴들 각각은, 제1 방향으로 연장되고 서로 마주보도록 이격된 제1 수평패턴과 제2 수평패턴; 상기 제1 수평패턴의 제1 단부와 이에 대응하는 상기 제2 수평패턴의 제1 단부를 연결하는 제1 수직패턴; 및 상기 제1 단부와 반대되는 상기 제1 수평패턴의 제2 단부와 이에 대응되는 상기 제2 수평패턴의 제2 단부를 연결하는 제2 수직패턴을 포함하고,상기 제1 수직패턴은 가운데 부분이 상기 제2 수직패턴으로 절곡된 구조를 갖고,상기 제2 수직패턴은 가운데 부분이 상기 제1 수직패턴 방향으로 절곡된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 기판
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제2항에 있어서, 상기 제1 수평패턴의 상기 제1 방향으로의 길이(CV)에 대한 상기 제1 수평패턴과 상기 제2 수평패턴 사이의 간격(CH)의 비율인 종횡비(CH/CV)가 0
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제2항에 있어서,상기 제1 수평패턴에 대해 상기 제1 수직패턴이 이루는 내부각도가 18°이상 60°이하인 것을 특징으로 하는, 스트레처블 기판
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제1항에 있어서,상기 오그재틱 구조의 높이(H)에 대한 상기 베이스 기재의 두께(T)의 비율(T/H)은 0
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플레이트 구조의 베이스 기재; 및 상기 베이스 기재의 일면으로부터 돌출되고, 변형시 응력(stress) 집중 현상을 감소시키는 오그재틱(auxetic) 구조를 포함하는 스트레처블 기판의 제조방법에 있어서,일면에 상기 오그재틱 구조에 대응되는 형상을 갖는 제1 충진공간 및 상기 제1 충진공간 상부에서 이와 연결되고 상부로 개방되며 상기 베이스 기재에 대응되는 형상을 갖는 제2 충진공간이 형성된 금형(mold)을 형성하는 제1 단계; 및 상기 금형의 제1 및 제2 충진공간에 고분자 조성물을 충진한 후 경화시키는 제2 단계를 포함하는, 스트레처블 기판의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 고분자 조성물은 열 경화 또는 광 경화되는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 기판의 제조방법
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플레이트 구조의 베이스 기재; 및 상기 베이스 기재의 하부면으로부터 돌출되고, 변형시 응력(stress) 집중 현상을 감소시키는 오그재틱(auxetic) 구조를 구비하는 스트레처블 기판;상기 하부면에 대향하는 상기 베이스 기재의 상부면에 위치하는 복수의 전자 소자; 및상기 베이스 기재의 상부면 상에 위치하고, 상기 복수의 전자 소자를 전기적으로 연결하는 배선을 포함하는, 스트레처블 전자 장치
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제8항에 있어서, 상기 오그재틱 구조는 복수의 단위 패턴들이 규칙적으로 그리고 반복적으로 연결된 구조를 갖고, 상기 단위 패턴들 각각은, 제1 방향으로 연장되고 서로 마주보도록 이격된 제1 수평패턴과 제2 수평패턴; 상기 제1 수평패턴의 제1 단부와 이에 대응하는 상기 제2 수평패턴의 제1 단부를 연결하는 제1 수직패턴; 및 상기 제1 단부와 반대되는 상기 제1 수평패턴의 제2 단부와 이에 대응되는 상기 제2 수평패턴의 제2 단부를 연결하는 제2 수직패턴을 포함하고,상기 제1 수직패턴은 가운데 부분이 상기 제2 수직패턴으로 절곡된 구조를 갖고,상기 제2 수직패턴은 가운데 부분이 상기 제1 수직패턴 방향으로 절곡된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 스트레처블 전자 장치
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제9항에 있어서, 상기 제1 수평패턴의 상기 제1 방향으로의 길이(CV)에 대한 상기 제1 수평패턴과 상기 제2 수평패턴 사이의 간격(CH)의 비율인 종횡비(CH/CV)가 0
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제9항에 있어서,상기 제1 수평패턴에 대해 상기 제1 수직패턴이 이루는 내부각도가 18°이상 60°이하인 것을 특징으로 하는, 스트레처블 전자 장치
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