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실리콘 함유막의 에칭 방법 및 이를 포함한 반도체 디바이스의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022013175
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 실리콘 함유막의 에칭 방법은, 에칭 장치의 공정 챔버내로 제1 실리콘 함유막 및 제2 실리콘 함유막을 포함하는 기판을 도입하는 단계와, 상기 공정 챔버에 F3NO를 포함하는 적어도 하나의 에칭 가스를 공급하는 단계와, 소정의 압력으로 유지되는 상기 공정 챔버에 소정의 파워를 인가하여 상기 공정 챔버내에 다이렉트 플라즈마를 생성하는 단계와, 상기 다이렉트 플라즈마에 의해 활성화된 에칭 가스의 활성종(radical)에 의해 상기 기판상의 상기 제1 실리콘 함유막을 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 소정의 압력은, 상기 제1 실리콘 함유막의 에치 레이트의 압력에 대한 기울기가 상기 제2 실리콘 함유막의 에치 레이트의 압력에 대한 기울기와 그 부호가 다른 소정의 범위내로 설정되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01L 21/31116(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/0217(2013.01) H01J 37/32091(2013.01)
출원번호/일자 1020200171746 (2020.12.09)
출원인 에스케이스페셜티 주식회사, 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0081829 (2022.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이스페셜티 주식회사 대한민국 경상북도 영주시 가
2 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽정훈 세종시
2 권병향 세종시
3 조용준 세종시
4 권기청 경기도 성남시 분당구
5 김우재 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤승환 대한민국 서울 서초구 청계산로 ***(신원동) 내곡드림시티 II *층 ***호(리앤윤 특허법률사무소)
2 박진석 대한민국 서울 서초구 청계산로 ***(신원동) 내곡드림시티* *층 ***호(리앤윤특허법률사무소)
3 이광직 대한민국 서울 서초구 청계산로 ***(신원동) 내곡드림시티 II *층 ***호(리앤윤 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1337759-45
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2022.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2022-0008649-49
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2022.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-0152198-48
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2022.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-0152267-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2022-5134690-65
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번호 청구항
1 1
실리콘 함유막의 에칭 방법으로서,에칭 장치의 공정 챔버내로 제1 실리콘 함유막 및 제2 실리콘 함유막을 포함하는 기판을 도입하는 단계와,상기 공정 챔버에 F3NO를 포함하는 적어도 하나의 에칭 가스를 공급하는 단계와,소정의 압력으로 유지되는 상기 공정 챔버에 소정의 파워를 인가하여 상기 공정 챔버내에 다이렉트 플라즈마를 생성하는 단계와,상기 다이렉트 플라즈마에 의해 활성화된 에칭 가스의 활성종(radical)에 의해 상기 기판상의 상기 제1 실리콘 함유막을 에칭하는 단계를 포함하며,상기 소정의 압력은, 상기 제1 실리콘 함유막의 에치 레이트의 압력에 대한 기울기가 상기 제2 실리콘 함유막의 에치 레이트의 압력에 대한 기울기와 그 부호가 다른 소정의 범위내로 설정되는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 실리콘 함유막은 실리콘 질화막이고, 상기 제2 실리콘 함유막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 소정의 압력은, 실리콘 질화막의 에치 레이트의 압력에 대한 기울기가 플러스이고 실리콘 산화막의 에치 레이트의 압력에 대한 기울기가 마이너스인 범위내에서 그 중간값보다 큰 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 소정의 압력은 1 mTorr ~ 10 Torr의 범위내인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
5 5
제4항에 있어서상기 소정의 압력은 200mTorr 이상 270mTorr 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 소정의 파워는 10 W 이상 50,000W 이하의 범위내인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 소정의 파워는 240W 이상 320W이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 에칭 장치는 다이렉트 CCP 장치인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 에칭 가스는 수소원자를 포함하는 제어가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유막의 에칭 방법
10 10
기판상에 제1 실리콘 함유막 및 제2 실리콘 함유막을 포함하는 실리콘 함유막을 형성하는 증착 단계와,제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 에칭 방법을 사용하여 실리콘 함유막을 에칭하는 에칭 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 에스케이머티리얼즈(주) 에너지자원기술개발사업 반도체/디스플레이 공정챔버 세정 가스 대체용 F3NO 가스개발