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초음속 플라즈마 발생 시스템에 있어서,진공 챔버;상기 진공 챔버의 내부 공간에 음극이 위치하며 상기 음극에서 제1 플라즈마를 발생시키는 음극 장치;상기 진공 챔버의 내부 공간에 양극이 위치하며 상기 양극에서 제2 플라즈마를 발생시키는 양극 장치; 및상기 음극 장치와 상기 양극 장치에 전기를 공급하는 전원 장치를 포함하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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제1항에 있어서,상기 진공 챔버는,진공 게이지를 통해 상기 내부 공간의 진공도를 측정하는 진공 측정부;상기 진공 챔버의 외벽에 설치된 관측창과 장치 연결 케이블을 포함하는 다목적 포트;상기 내부 공간을 진공 상태로 만드는 펌프에 연결되는 진공 라인; 및상기 내부 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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제1항에 있어서,상기 음극 장치는,전기 에너지에 의해 제1 플라즈마를 발생시키는 음극;상기 음극이 삽입된 음극봉;전자석으로 동작하여 상기 제1 플라즈마의 하전입자의 방향을 제어하는 보빈;상기 보빈에 권선된 도전선;상기 음극과 상기 보빈 사이에 삽입된 음극 절연체;상기 음극봉의 위치를 조절하여 상기 진공 챔버에 고정시키는 음극 홀더;상기 진공 챔버와 상기 음극 홀더를 결합시키는 진공 플랜지; 및쿨러를 이용하여 상기 음극봉을 냉각시키는 냉각제를 순환시키는 쿨링 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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제1항에 있어서,상기 양극 장치는,상기 제1 플라즈마의 하전입자가 표면에서 증착된 후 온도가 높아지면 재증발시켜 상기 제2 플라즈마를 발생시키는 양극;상기 양극과 상기 음극 간의 거리를 조절하는 무빙 장치;상기 양극을 지지하는 양극봉;상기 양극과 상기 진공 챔버를 전기적으로 분리시키는 절연체 어댑터; 및상기 전원 장치와 상기 양극봉을 연결시키는 양극봉 플랜지를 포함하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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제4항에 있어서,상기 양극의 표면은 하전입자가 부착되지 않도록 고온으로 가열되고,상기 양극은 상기 양극에 부착되어 상기 하전입자의 재증발에 필요한 온도에서 견디게 하는 내화 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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제4항에 있어서,상기 양극은,상기 양극의 내부에 삽입되어 플라즈마 주파수를 측정하는 측정 안테나; 및상기 측정 안테나를 보호하는 내열 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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제4항에 있어서,상기 양극은,인가된 전압에 따른 전류의 변화를 측정하는 측정 프로브를 포함하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 시스템
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초음속 플라즈마 발생 방법에 있어서,음극에서 제1 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 음극에서 양극으로 상기 제1 플라즈마의 흐름을 제어하는 단계; 및상기 양극에서 제2 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함하는 초음속 플라즈마 발생 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 플라즈마를 발생시키는 단계는,음극봉에 전기 에너지가 인가되면 상기 음극봉에 연결된 음극의 온도가 상승하고, 상기 온도가 상승된 음극에 무빙 장치를 통해 상기 양극이 접촉하면 아크 전류가 흐르는 음극점이 생성되고, 열전자를 방출하며, 상기 열전자는 진공 챔버의 가스를 이온화시켜 상기 제1 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 플라즈마의 흐름을 제어하는 단계는,보빈과 상기 보빈에 권선된 도전선이 전자석으로 동작하여 자기장을 발생시키고, 상기 자기장에 의해 자화된 상기 제1 플라즈마의 하전입자의 흐름과 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 플라즈마를 발생시키는 단계는,상기 양극의 표면의 온도가 상기 음극에서 증발한 후 상기 양극에 도달한 하전입자의 증발 온도보다 낮아서, 상기 하전입자가 상기 양극의 표면에 증착되는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 방법
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제11항에 있어서,상기 제2 플라즈마를 발생시키는 단계는,상기 제1 플라즈마에 의해 상기 양극의 표면의 온도는 더 상승하고 상기 양극의 표면에서 상기 하전입자가 재증발하여 상기 제2 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 초음속 플라즈마 발생 방법
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