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방사성 요오드 및 방사성 세슘 중 하나 이상의 방사성 물질을 흡착하는 흡착제를 포함하는 흡착체를 방사성 폐기물 내에 추가하여 방사성 물질을 선택적으로 흡착하는 단계;상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 회수하는 단계; 및상기 회수된 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 이용하여 방사능 계측하는 단계;를 포함하고,상기 흡착체는 그물망 형태 흡착체, 나노입자 흡착체 및 탄소 흡착체 중 선택되는 1종을 포함하고,상기 나노입자 흡착체는 자성나노입자를 포함하는 것이며,상기 흡착체를 회수하는 단계 시 자성기판을 추가하여 자성나노입자 흡착체를 회수하는 것인방사능 계측 방법
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방사성 요오드 및 방사성 세슘 중 하나 이상의 방사성 물질을 흡착하는 흡착제를 포함하는 흡착체를 방사성 폐기물 내에 추가하여 방사성 물질을 선택적으로 흡착하는 단계;상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 회수하는 단계;상기 회수된 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 이용하여 방사능 계측하는 단계; 및상기 방사능 계측에 이용된 흡착체로부터 상기 방사성 물질을 제거하여 상기 방사성 물질의 흡착에 재사용하는 단계를 포함하고,상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 작업전극으로 하는 전기화학장치를 구성하고, 상기 전기화학장치에 전위를 가하여 상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체로부터 상기 방사성 물질을 해리하여 제거하는,방사능 계측 방법
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방사성 요오드 및 방사성 세슘 중 하나 이상의 방사성 물질을 흡착하는 흡착제를 포함하는 흡착체를 방사성 폐기물 내에 추가하여 방사성 물질을 선택적으로 흡착하는 단계;상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 회수하는 단계;상기 회수된 방사성 물질을 흡착한 흡착체로부터 방사성 물질을 해리하는 단계; 및상기 흡착체로부터 해리된 방사성 물질을 이용하여 방사능 계측하는 단계;를 포함하고,상기 해리하는 단계는,상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 작업전극으로 하는 전기화학장치를 구성하고, 상기 전기화학장치에 전위를 가하여 상기 방사성 물질을 흡착한 흡착체로부터 상기 방사성 물질을 용매에 해리하는 것인,방사능 계측 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 흡착제는 백금족 금속 및 프러시안 블루 중 하나 이상을 포함하는 것인,방사능 계측 방법
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제4항에 있어서,상기 백금족 금속은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 의 백금족 중 선택되는 1종 이상이 포함되는 것인,방사능 계측 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 흡착체는 그물망 형태 흡착체, 나노입자 흡착체 및 탄소 흡착체 중 선택되는 1종을 포함하고,상기 흡착제가 상기 흡착체의 적어도 일부를 이루거나, 상기 흡착제가 상기 흡착제의 표면에 포함되는 것인,방사능 계측 방법
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제6항에 있어서,상기 그물망 형태 흡착체는 판형, 선형, 원통형, 스폰지형 형태의 금속 중 선택되는 1종인 것인,방사능 계측 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 방사능 계측하는 단계는, 상기 회수된 방사성 물질을 흡착한 흡착체를 방사능 계측기에 바로 넣어 계측하는 것인,방사능 계측 방법
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제3항에 있어서,상기 방사능 계측하는 단계는, 용매에 해리된 상기 방사성 물질을 셀에 넣고, 상기 셀을 계측기에 설치하여 방사능을 계측하는 것인,방사능 계측 방법
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제8항에 있어서,상기 계측기는 low energy gamma 계측기, LSC(Liquid Scintillation Counter)계측기 및 gamma 계측기 중 적어도 하나인,방사능 계측 방법
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제9항에 있어서,상기 계측기는 low energy gamma 계측기, LSC(Liquid Scintillation Counter)계측기 및 gamma 계측기 중 적어도 하나인,방사능 계측 방법
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제3항에 있어서,상기 방사성 물질이 해리되어 제거된 상기 흡착체를 상기 방사성 물질 제거 시 재사용하는,방사능 계측 방법
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제3항에 있어서,상기 방사능 계측하는 단계는, 상기 흡착체로부터 해리된 방사성 물질을 원자발광분석법, 원자흡수분광법, 질량분석기 중 하나 이상을 이용하여 화학분석하는 것을 포함하는 것인,방사능 계측 방법
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