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대면적 단층 2차원 물질 구조체; 및상기 2차원 물질 구조체의 원자 배열 방향에 따라 배치되는 전극을 포함하는 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 2차원 물질 구조체는 유기금속화학증착법(MOCVD)에 의하여 제조되는 것인 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 2차원 물질 구조체는 칼코겐 화합물인 것인 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 칼코겐 화합물은 zigzag 방향 또는 armchair 방향을 가지는 것인 트랜지스터 소자
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제3항에 있어서,상기 칼코겐 화합물은 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2 및 WTe2로 이루어진 군에서 선택되는 1이상인 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 전극의 배치는 라만 스펙트럼 및 2차 조화파(Second-harmonic generation; SHG) 분석에 따라 결정되는 것인 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 전극의 배치은 전류 흐름 방향이 상기 원자 배열 방향에 대하여 0 내지 360 °범위 내에서 복수 개의 전극을 30° 내지 45 °의 간격으로 이격시켜 배치하는 것인 트랜지스터 소자
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제1항에 있어서,상기 전극은 Au, Ti, Cu, Al, Pd 및 Ni으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 금속 물질인 것인 트랜지스터 소자
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