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고효율 질화물계 광 검출기

  • 기술번호 : KST2022013404
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, AlGaN/GaN 이종 접합 박막 구조를 갖는 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 광 여기 전류가 증가 또는 감소하는 광 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 기판; 상기 기판의 상부에 존재하는 AlyGa1-yN 채널층; 및 상기 채널층의 상부에 존재하는 n형 AlxGa1-xN 배리어층을 포함하며, 상기 n형 AlxGa1-xN 배리어층의 상부에는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되어 있고, 상기 x 및 y는 0≤y003c#x, 0003c#x003c#1 및 0≤y003c#1을 만족하며, 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 광 여기 전류가 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 광 검출기를 제공한다.
Int. CL H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/109 (2006.01.01) H01L 31/0735 (2012.01.01)
CPC H01L 31/03048(2013.01) H01L 31/109(2013.01) H01L 31/0735(2013.01)
출원번호/일자 1020210002442 (2021.01.08)
출원인 한국공학대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0100749 (2022.07.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국공학대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성남 인천광역시 연수구
2 백승혜 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호(문정동, 에이치비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 김재문 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, 에이치비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0024868-72
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2022-5061205-55
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2022-5086939-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상부에 존재하는 AlyGa1-yN 채널층; 및상기 채널층의 상부에 존재하는 n형 AlxGa1-xN 배리어층을 포함하며,상기 n형 AlxGa1-xN 배리어층의 상부에는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되어 있고,상기 x 및 y는 0≤y003c#x, 0003c#x003c#1 및 0≤y003c#1을 만족하며,상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 광 여기 전류가 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 n형 AlxGa1-xN 배리어층의 두께는 15nm 이하인 것을 특징으로 하는 광 검출기
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 인가되는 게이트 전압이 음의 전압인 경우, 광 여기 전류가 증가하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 광 검출기는 파장 280nm 이상 400nm 이하의 빛을 검출하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
5 5
기판;상기 기판의 상부에 존재하는 AlyGa1-yN 채널층; 및상기 채널층의 상부에 존재하는 p형 AlxGa1-xN 배리어층을 포함하며,상기 p형 AlxGa1-xN 배리어층의 상부에는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되어 있고,상기 x 및 y는 0≤y003c#x, 0003c#x003c#1 및 0≤y003c#1을 만족하며,상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 광 여기 전류가 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
6 6
제 5 항에 있어서,상기 p형 AlxGa1-xN 배리어층의 두께는 15nm 이하인 것을 특징으로 하는 광 검출기
7 7
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 인가되는 게이트 전압이 양의 전압인 경우, 광 여기 전류가 증가하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
8 8
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 광 검출기는 파장 280nm 이상 400nm 이하의 빛을 검출하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국산업기술대학교 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 다기능 모노리식 다파장 평판형 마이크로 LED에 대한 연구