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트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로

  • 기술번호 : KST2022013430
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로에 관한 것으로, 압전 변환기의 음향 성능을 높이기 위한 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로에 관한 것이다. 제안하는 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로로 압전 변환기의 증폭기 성능을 향상시켜 음향 성능을 높이는 효과가 있다.
Int. CL H03F 1/02 (2006.01.01) H03F 1/22 (2006.01.01) H03F 3/21 (2006.01.01)
CPC H03F 1/0233(2013.01) H03F 1/223(2013.01) H03F 3/21(2013.01) H03F 2200/213(2013.01)
출원번호/일자 1020210002945 (2021.01.09)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0100782 (2022.07.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.03.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최호종 경상북도 구미시
2 유기흠 경상북도 구미시
3 김경진 경상북도 구미시
4 최정현 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조상균 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **(문정동) A동 ***호(아셈특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0028882-05
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0011414-57
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2021.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2021-5015671-50
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2021-0131704-81
5 보정요구서
Request for Amendment		 2021.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0019975-24
6 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0155127-08
7 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2022.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0274830-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력단(210)이 증폭기(100)의 출력단에 연결되고, 상기 증폭기에서 생성되는 고조파 신호를 줄이는 공진 필터(221)가 출력단(220)에 연결되며, DC 바이어스 신호 입력의 노이즈 신호를 최소화하는 커패시터와, 상기 DC 바이어스 신호 입력으로 인한 전압 강하를 최소화하는 인덕터를 포함하는 DC 바이어스 신호 입력단(230) 및상기 DC 바이어스 신호 입력단과 공진 필터 사이에 배치되어, 상기 DC 바이어스 신호 입력에 따라 상기 증폭기의 출력단에 위치하는 인덕터와 커패시터의 변동을 설정하는 복수의 트랜지스터(240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 증폭기(100)는,1단 및 2단 앰프(10,20)로 게이트 바이어스 전압이 적용되는 Power MOSFET(110,120),상기 Power MOSFET의 게이트 및 드레인 측에 초크 인덕터로 연결되어 DC 바이어스 전압이 사용되었을 때 전압 강하를 최소화하는 인덕터(130),상기 인덕터와 DC 전원 공급장치(141) 사이에 연결되어 DC 전원으로 인한 노이즈 신호를 최소화하는 커패시터(140),상기 1단 및 2단 입력단에 연결되는 입력 인덕터(111,121), 커패시터(112,122) 및 저항기(113,123)가 상기 1단 및 2단 Power MOSFET의 게이트 측의 초크 인덕터를 지나 게이트에 연결되고,상기 1단 및 2단 출력단에 연결되는 출력 인덕터(114,124), 커패시터(115,125) 및 저항기(116,126)가 상기 1단 및 2단 Power MOSFET의 드레인 측의 초크 인덕터를 지나 드레인에 연결되는 것을 특징으로 하는 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는 게이트-소스 또는 드레인-소스 연결 유형의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로
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제3항에 있어서,상기 게이트-소스 또는 드레인-소스 연결 트랜지스터는 포스트 전압-부스트 회로에 적용된 바이어스 DC 전압에 따라 가변 저항기 또는 가변 커패시터로 작동되는 것을 특징으로 하는 트랜스듀서 어플리케이션을 위한 Class-B 증폭기를 지원하는 포스트 전압 부스트 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 금오공과대학교 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 고해상도 초음파/PET 통합 시스템 하드웨어 플랫폼
2 중소벤처기업부 금오공과대학교산학협력단 중소기업R＆D역량제고(R＆D) 무좀치료를 위한 조사기 개발