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스트레쳐블 주름을 가지며, 소정 두께 이하로 형성되는 스트레쳐블 기판;상기 스트레쳐블 기판 상에 형성되는 제1 전극;상기 제1 전극과 대향되게 형성되는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 유기 발광층;을 포함하되,상기 제1 전극, 제2 전극 및 유기 발광층의 형상은 상기 스트레쳐블 기판의 형상에 종속되며,상기 제1 전극은, 제1 금속 산화물 박막층, 금속 박막층 및 제2 금속 산화물 박막층이 상기 스트레쳐블 기판 상에 차례로 적층된 구조로 이루어지는, 스트레쳐블 광 소자
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제1 항에 있어서,상기 스트레쳐블 기판은 0
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제1 항에 있어서,배면 발광형인 경우, 상기 제2 금속 산화물 박막층은 상기 제1 금속 산화물 박막층보다 얇은 두께로 형성되는, 스트레쳐블 광 소자
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제3 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물 박막층의 두께는 상기 제1 금속 산화물 박막층 두께의 1/3 이하인, 스트레쳐블 광 소자
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제3 항에 있어서,상기 제2 금속 산화물 박막층의 두께는 1~15㎚인, 스트레쳐블 광 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 스트레쳐블 기판 상에 적층된 MoO3/Au/MoO3 구조로 이루어지는, 스트레쳐블 광 소자
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7
제6 항에 있어서,2축 연신이 가능하되, 연신 시 상기 제1 전극의 금속 박막층을 이루는 Au가 기계적 크랙 스토퍼(mechanical crack stopper)로 작용하여 기계적으로 깨지지 않는 안정성을 가지며, 5~20㎚의 두께를 갖고, 시야각에 따라 색 좌표가 실질적으로 일정한, 스트레쳐블 광 소자
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8
제1 항에 있어서,상기 유기 발광층의 발광 구동 시, 상기 스트레쳐블 기판을 통해 방출되는 열의 온도는 10,000nit에서 상온(room temperature; RT) 이상인, 스트레쳐블 광 소자
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9
제1 항에 있어서,외부 양자 효율(external quantum efficiency; EQE)은, 휘도가 증가함에 따라 증가하는, 스트레쳐블 광 소자
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10
제1 항에 있어서,상기 스트레쳐블 기판은 100㎛ 이하의 두께로 형성되는, 스트레쳐블 광 소자
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공정용 캐리어 기판 상에 스트레쳐블 기판을 형성하는, 스트레쳐블 기판 형성 단계;상기 스트레쳐블 기판 상에 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 차례로 증착하여 소자층을 형성하는, 소자층 형성 단계;상기 스트레쳐블 기판의 테두리에 부착된 연신 가능한 접착 부재를 매개로, 상기 스트레쳐블 기판과, 상기 제2 전극 상부에 배치되는 스트레쳐블 필름을 접착시키는 제1 봉지 공정 및 상기 접착 부재의 외측면에 밀봉재를 도포하는 제2 봉지 공정을 포함하는, 인캡슐레이션 단계; 및상기 스트레쳐블 기판으로부터 상기 공정용 캐리어 기판을 제거하는, 공정용 캐리어 기판 제거 단계;를 포함하며,상기 소자층 형성 단계에서는 제1 금속 산화물 박막층, 금속 박막층 및 제2 금속 산화물 박막층이 상기 스트레쳐블 기판 상에 차례로 적층된 구조로 상기 제1 전극을 형성하는, 스트레쳐블 광 소자 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 스트레쳐블 기판 형성 단계 전, 발수 코팅제를 이용하여 상기 공정용 캐리어 기판의 표면을 극소수성 처리하는 극소수성 처리 단계를 더 포함하는, 스트레쳐블 광 소자 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 스트레쳐블 기판 형성 단계에서는,상기 공정용 캐리어 기판 상에 상기 스트레쳐블 기판을 100㎛ 이하의 두께로 형성하는, 스트레쳐블 광 소자 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 소자층 형성 단계에서는 상기 소자층을 배면 발광형으로 형성하는 경우, 상기 제2 금속 산화물 박막층을 상기 제1 금속 산화물 박막층보다 상대적으로 얇은 두께로 형성하되,상기 제2 금속 산화물 박막층의 두께를 상기 제1 금속 산화물 박막층의 두께의 1/3 이하로 형성하거나 1~15㎚ 로 형성하는, 스트레쳐블 광 소자 제조방법
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