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박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022013676
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 반도체 층보다 수소 농도가 높은 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 게이트 절연막보다 수소 농도가 높은 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 동일 챔버 내에서 연속 공정으로 수행되는 것을 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/8234 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210144305 (2021.10.27)
출원인 고려대학교 세종산학협력단
등록번호/일자 10-2412715-0000 (2022.06.21)
공개번호/일자 10-2021-0134536 (2021.11.10) 문서열기
공고번호/일자 (20220624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2020-0007663 (2020.01.21)
관련 출원번호 1020200007663
심사청구여부/일자 Y (2021.10.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 대한민국 세종특별자치시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김보성 서울특별시 서초구
2 오창용 서울특별시 강동구
3 장현재 경기도 김포시 김포한강*로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 월드메르디앙*차 **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 세종산학협력단 대한민국 세종특별자치시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [참고자료]정보제출서
[Reference] Written Submission of Information		 2021.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2021-1232902-39
2 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2021.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2021-1232718-34
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0891219-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2022-0023601-66
5 등록결정서
Decision to grant		 2022.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0399009-55
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번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 반도체 층을 형성하는 단계;플라즈마 원자 증착 공정을 통하여, 상기 반도체 층보다 수소 농도가 높은 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및열 원자 증착 공정을 통하여, 상기 제1 게이트 절연막 상에 상기 제1 게이트 절연막과 동일한 재료로 이루어진 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계의 상기 제1 및 제2 게이트 절연막은 동일한 재료로 연속 공정으로 형성되되, 상기 플라즈마 원자 증착 공정과 상기 열 원자 증착 공정의 차이에 의하여, 상기 제2 게이트 절연막의 수소 농도는 상기 제1 게이트 절연막의 수소 농도 보다 높게 형성되는, 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
기판;상기 기판 상에 형성된 반도체 층;상기 반도체 층과 접촉하되 상기 반도체 층보다 수소 농도가 높은 제1 게이트 절연막;상기 제1 게이트 절연막과 접촉하되 상기 제1 게이트 절연막과 동일한 재료로 이루어진 제2 게이트 절연막; 및상기 제2 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극;을 포함하되,상기 제1 및 제2 게이트 절연막은 동일한 재료로 연속 공정으로 형성되되, 상기 제1 게이트 절연막은 플라즈마 원자 증착 공정을 통하여 형성되고, 상기 제2 게이트 절연막은 열 원자 증착 공정을 통하여 형성되고,상기 플라즈마 원자 증착 공정과 상기 열 원자 증착 공정의 차이에 의하여, 상기 제2 게이트 절연막의 수소 농도는 상기 제1 게이트 절연막의 수소 농도 보다 높게 형성된, 박막 트랜지스터
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DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR20200115061 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교 세종산학협력단 소재부품산업미래성장동력(R＆D) 스트레처블 디스플레이를 위한 20%이상 신축성을 갖는 백플레인, 발광화소용 소재ㆍ소자ㆍ공정 원천 기술 개발
2 산업통상자원부 고려대학교 세종산학협력단 에너지인력양성(전력기금)(R＆D) 차세대 응용 태양전지 융복합기술 고급트랙