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적어도 일면에 제1 금속 나노와이어가 형성된 마이크로 메시; 및상기 마이크로 메시의 타면에 형성된 절연체층;을 포함하는, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노와이어는 상기 마이크로 메시 상에 네트워크 구조로 형성되는, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노와이어는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노와이어는 평균 직경이 30nm 내지 50nm인, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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제1항에 있어서,상기 마이크로 메시는 선폭이 100μm 내지 200μm의 범위를 갖는, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노와이어는 절연체로 코팅된 나노 메시 상에 형성된, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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7
제1항에 있어서,상기 절연체층은 고분자 물질로 이루어진, 금속 나노 메시 제조용 몰드
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8
마이크로 메시의 적어도 일면에 제1 금속 나노와이어를 형성하는 단계; 및상기 마이크로 메시의 타면에 절연체층을 형성하는 단계;를 포함하는, 금속 나노 메시 제조용 몰드의 제조방법
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9
제8항에 있어서,상기 제1 금속 나노와이어는 용액 코팅 방법으로 형성되는, 금속 나노 메시 제조용 몰드의 제조방법
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제1항의 금속 나노 메시 제조용 몰드를 이용하여 금속 나노 메시를 제조하는 방법으로서,마이크로 메시, 상기 마이크로 메시의 적어도 일면에 형성된 제1 금속 나노와이어 및 상기 마이크로 메시의 타면에 형성된 절연체층을 포함하는 금속 나노 메시 제조용 몰드의 상기 제1 금속 나노와이어 상에 제2 금속을 형성하는 단계;를 포함하는, 금속 나노 메시의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2 금속은 전해도금 또는 무전해도금 방식으로 형성되는, 금속 나노 메시의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제1 금속 나노와이어 상에 형성된 제2 금속을 기판상에 전사하는 단계;를 포함하는, 금속 나노 메시의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 접착성을 갖는 투명 기판인, 금속 나노 메시의 제조방법
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제10항의 제조방법으로 제조된, 금속 나노 메시
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투명 기판; 및 제14항의 금속 나노 메시;를 포함하는 금속 나노 메시 전극
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제15항의 금속 나노 메시 전극을 포함하는 유기 전자 소자
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