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Re1-Fe-B의 조성을 갖는 제1 분말 및 Re2-Fe-B의 조성을 갖는 제2 분말을 혼합하여 혼합 분말을 제조하는 단계; 및상기 혼합 분말을 이방벌크화하여 이방벌크자석으로 제조하는 단계; 를 포함하는 다상 구조 자석의 제조 방법으로서, 상기 Re1에 포함된 희토류 금속은 상기 Re2에 포함된 희토류 금속과 금속의 종류 및 그 함량 중 하나 이상이 서로 상이한 것인다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 분말 및 상기 제2 분말은 결정질인 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 분말 및 상기 제2 분말은 비정질인 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 분말 및 상기 제2 분말은 직경이 1 μm 이하인 결정립으로 이루어지는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 분말과 상기 제2 분말은 1:9 내지 9:1의 중량비로 혼합되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 분말 및 상기 제2 분말은 각각 독립적으로 Re1-Fe-B 또는 Re2-Fe-B 의 조성을 갖는 합금을 준비하는 단계; 상기 합금을 용융한 후 급랭하여 리본을 제조하는 단계; 및 상기 리본을 분쇄하여 분말화하는 단계;를 통해 제조되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 Re1 및 상기 Re2는 각각 독립적으로 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중에서 선택된 1종 이상의 희토류 금속을 포함하는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 Re2 는 Nd1-xCex 의 조성을 가지며, 상기 x는 0
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제1항에 있어서, 상기 제1 분말 및 상기 제2 분말은 제조되는 다상 구조 자석의 총 조성에 있어, Nd:Ce의 원자비가 7:3 내지 3:7이 되도록 혼합되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이방벌크화는 가압소결 하는 단계; 및 열간변형하는 단계;를 포함하는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 가압소결은 500 내지 900 ℃의 온도에서 50 내지 1000 MPa 로 가압하여 수행되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 열간변형 공정은 500 내지 900 ℃의 온도에서 20 내지 500 MPa의 압력 하에 수행되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 열간변형은 열간 압연, 열간 단조 및 열간 압출 중에서 선택되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 열간변형은 하기 식 1로 표현되는 변형률이 1 내지 2가 되도록 수행되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이방벌크자석으로 제조하는 단계 이후에, 후열처리하는 단계;를 더 포함하는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 후열처리는 400 내지 800 ℃의 온도로 10 내지 600 분 동안 수행되는 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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Re1-Fe-B 를 포함하는 제1상 결정립; Re2-Fe-B 를 포함하는 제2상 결정립; 및 입계상; 을 포함하고,상기 Re1에 포함된 희토류 금속은 상기 Re2에 포함된 희토류 금속과 금속의 종류 및 그 함량 중 하나 이상이 서로 상이하고,상기 제1상 결정립 및 상기 제2상 결정립의 최대 직경이 1μm 이하이고,상기 입계상은 상기 제1상 결정립 간의 공간; 상기 제2상 결정립 간의 공간; 및 상기 제1상 결정립 및 상기 제2상 결정립 간의 공간; 중 하나 이상의 위치에 존재하고,상기 제1상 결정립은 상기 제1상 결정립의 외표면으로부터 중심 방향으로 Re2가 확산되어 형성된 제1 확산영역을 포함하고, 상기 제2상 결정립은 상기 제2상 결정립의 외표면으로부터 중심 방향으로 Re1이 확산되어 형성된 제2 확산영역을 포함하는 것인, 제1항에 따른 방법으로 제조된 다상 구조 자석
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제17항에 있어서, 상기 다상 구조 자석은 NdaRbFe100-a-b-c-dMcBd 의 조성을 가지며, 상기 R은 Sc, Y, La, Ce, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 1종 이상을 포함하고, 상기 M은 Ga, Co, Al, Cu, Nb, Ti, Si, Zr, Ta, V, Mo, Mn, Zn, Ni, Cr, Pb, Sn, In, Mg, Ag 및 Ge 중 1종 이상을 포함하고, 상기 a는 0 이상 20 이하이고, b는 0 이상 20 이하이고, c는 0 이상 15 이하이고, d는 0 이상 15 이하인 것인 다상 구조 자석의 제조 방법
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