| 1 |
1
다공성 기재; 및 상기 다공성 기재의 표면에 형성된 아크릴계 선택층;을 포함하는 기체분리막
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 아크릴계 선택층은 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체, 은염 및 이온성액체를 포함하는 복합물을 코팅하여 형성되는 것인 기체분리막
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 공중합체는 화학식 2로 표시되는 화합물과, 화학식 3으로 표시되는 화합물이 중량비로 7 : 3 내지 3 : 7 로 반응한 것인, 기체분리막
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 이온성 액체는 유기양이온과 음이온으로 구성되어 있으며, 상기 양이온으로는 디알킬이미다졸륨, 알킬피리디늄, 4급 암모늄 및 4급 포스포늄에서 선택되는 어느 하나의 양이온이며, 상기 음이온으로는 NO3-, BF4-, PF6-, AlCl4-, Al2Cl7-, TfO-(Trifluoromethanesulfonate), Tf2N-(Trifluoromethanesulfonylamide) 및 CH3CH(OH)CO2-(L-lactate) 중에서 선택되는 어느 하나의 음이온인, 기체분리막
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 복합물은, 상기 화학식 1로 표시되는 공중합체 100 중량부에 대하여, 은염 200 내지 500 중량부, 이온성 액체 20 내지 50 중량부로 포함하는 것인, 기체분리막
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 다공성 기재의 표면은 추가적인 거터층이 더 형성된 것인, 기체분리막
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 거터층은 실록산계 고분자 또는 치환계 폴리아세틸렌을 포함하는 것인 기체분리막
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 선택층의 두께는 300 ㎚ 내지 1,000 ㎚인, 기체분리막
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 기체분리막은, 25 ℃1 bar에서의 CO/N2 선택도가 2
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 기체분리막은, 일산화탄소를 선택적으로 촉진 수송(facilitated transport) 분리하는 용도인, 기체분리막
|
| 11 |
11
하기 화학식 1로 표시되는 공중합체, 은염 및 이온성 액체를 포함하는 복합물을 제조하는 단계; 및상기 복합물을 다공성 기재의 표면에 코팅 및 건조하여 아크릴계 선택층을 형성하는 단계;를 포함하는 기체분리막의 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 아크릴계 선택층을 형성하는 단계 이전에, 다공성 기재의 표면에 추가적인 거터층을 더 형성하는 단계를 포함하는 것인, 기체분리막의 제조방법
|
