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금속지지대;상기 금속지지대 상부에 형성된 그래핀층; 및상기 그래핀층 상부에 수직으로 형성된 반도체 나노막대들을 구비하는 반도체 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 반도체 나노막대들 사이에 지지를 위해서 형성된 폴리머물질이 추가로 구비된 반도체 디바이스
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제2 항에 있어서,상기 반도체 나노막대들 상부에 형성된 상부전극이 더 구비되는 반도체 디바이스
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제1 항에 있어서,상기 금속지지대는 호일 형태의 금속기판이고,상기 금속기판은 지지력을 강화하기 위하여 PET 기판에 고정되는 반도체 디바이스
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반도체 나노막대 형성방법에 있어서,금속지지대 상부에 그래핀층을 형성하는 단계; 및상기 그래핀층 상부에 수직으로 형성된 반도체 나노막대들을 형성하는 단계를 구비하는 반도체 나노막대 형성방법
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제5 항에 있어서,상기 반도체 나노막대들을 형성하는 단계는 상기 그래핀층을 확산 방지층으로 하여 그래핀층 위에 금속 촉매 나노입자를 제작한 후, 기체-액체-고체 성장법으로 반도체 나노막대를 성장하는 반도체 나노막대 형성방법
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제5 항에 있어서,상기 반도체 나노막대들 사이에 지지를 위해서 형성된 폴리머물질을 추가하는 단계를 더 구비하는 반도체 나노막대 형성방법
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제5 항에 있어서,상기 그래핀층을 형성하는 단계는 화학기상증착방식을 이용하는 반도체 나노막대 형성방법
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반도체 디바이스 제조방법에 있어서,제5 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노막대들을 형성하는 단계; 및상기 반도체 나노막대들 상부에 상부전극을 형성하는 반도체 디바이스 제조방법
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제9 항에 있어서,상기 금속지지대는 호일 형태의 금속기판이고,상기 금속기판은 지지력을 강화하기 위하여 PET 기판에 고정되는 반도체 디바이스의 제조방법
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