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기판과,상기 기판상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극,상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 아조벤젠 및 PVDF가 결합된 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름은 PVDF와 아조벤젠인 용해된 용액의 용매가 증발되어 제조되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제 2항에 있어서,상기 용매는 극성 용매인 것을 특징으로 하는, 메모리 장치
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제 3항에 있어서,상기 극성 용매는 에틸아세테이트, THF(Tetrahydrofuran), 부틸 알콜(butyl alcohol), IPA(isopropyl antipyrine), 아세톤(acetone) 및 아세토니트릴(acetonitrile) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 메모리 장치
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제 2항에 있어서,상기 용액은 탄소나노튜브(CNT)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 메모리 장치
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제 5 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 상기 용액에 대하여 0
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제 2항에 있어서,상기 용액은 메탈 파티클을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 메모리 장치
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제 2항에 있어서,상기 용매가 증발될 시 상기 용액 위로 기체의 유동이 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제 8항에 있어서, 상기 기체는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 알루미늄, 백금 및 금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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기판과,상기 기판상에 상호 평행하게 형성되는 다수의 하부 전극,상기 하부 전극상에 형성되는 강유전체층 및,상기 강유전체층상에 상호 평행하면서 상기 하부 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 다수의 상부 전극을 포함하여 구성되고,상기 강유전체층은 아조벤젠 및 PVDF가 결합된 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제13항에 있어서,상기 강유전체층이 하부 전극과 상부 전극의 교차영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제13항에 있어서,상기 하부 및 상부 전극이 도전성 유기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제13항에 있어서,상기 기판은 Si 웨이퍼, Ge 웨이퍼, 종이, 파릴렌(Parylene)이 도포된 종이, 유기물 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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기판상에 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성단계;하부 전극이 형성된 기판의 전체 표면상에 아조벤젠 및 PVDF가 결합된 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름으로 구성되는 강유전체층을 구비하는 강유전체층 형성단계; 및상기 강유전체층 상에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성단계;를 포함하고,상기 강유전체층 형성단계는,PVDF와 아조벤젠을 중합하여 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액을 제조하는 제 1 단계;상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액을 기판 상에 도포하는 제 2 단계;상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액의 용매를 증발시켜 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름을 형성하는 제 3 단계; 및상기 기판을 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름으로부터 분리하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제17항에 있어서,상기 강유전체층 중 하부 전극과 상부 전극의 교차영역을 제외한 나머지 부분을 에칭하여 제거하는 단계를 추가로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제18항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE를 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제18항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 BOE와 금 에천트를 이용하는 2단계 에칭을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제18항에 있어서,상기 강유전체층의 에칭이 RIE법을 통해 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,제 1 단계는,PVDF 용액과 아조벤젠 용액을 혼합하는 방법, PVDF 용액에 아조벤젠을 분산시키는 방법 및 아조벤젠 용액에 PVDF를 분산시키는 방법 중 어느 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 22 항에 있어서,상기 PVDF 용액의 용매는 MIBK (methyl isobutyl ketone), MEK (methyl ethyl ketone),NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone), DMF (dimethylformamide) 및 DME(dimethyl ether) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 22 항에 있어서,상기 아조벤젠 용액의 용매는, 극성 용매인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 24 항에 있어서,상기 아조벤젠 용액의 용매는, 에틸아세테이트, THF(Tetrahydrofuran), 부틸 알콜(butyl alcohol), IPA(isopropyl antipyrine), 아세톤(acetone) 및 아세토니트릴(acetonitrile) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 단계는,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 탄소나노튜브(CNT)를 분산시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 26 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 대하여 0
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 단계는,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 메탈 파티클을 분산시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 단계 후,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액에 가시광선을 조사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,제 2 단계에서,어플리케이터를 사용하는 방법, 바코터를 사용하는 방법 및 스핀 코팅 방법 중 적어도 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 기판은 친수성 코팅 처리된 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 31 항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 3 단계에서,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 용액 위로 기체의 유동을 만들어 상기 용매의 균일한 휘발을 유도하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 33 항에 있어서,상기 기체는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 3 단계 후,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름에 지지막을 접합하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 35 항에 있어서,상기 지지막은 실리콘 일래스토머(silicone elastomer) 및 PDMS(polydimethylsiloxane) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 36 항에 있어서,상기 지지막은 PET(polyethylene terephthalate) 필름 상에 실리콘 일래스토머(silicone elastomer) 및 PDMS(polydimethylsiloxane) 중 적어도 하나를 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 4 단계 전,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름과 상기 기판 사이의 접착력을 약화시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 38 항에 있어서,상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름과 상기 기판 사이의 접착력을 약화시키는 단계에서,상기 기판과 상기 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름에 습윤 환경을 제공하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 39 항에 있어서,상기 습윤 환경은 물, 증류수(distilled water), 탈이온수(deionized water) 또는 IPA(isopropyl alcohol)을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 4 단계 후,풀림(annealing) 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 4 단계 후,폴링(electrical poling) 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치 제조방법
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기판상에 형성되는 제1 메모리 셀과,상기 제1 메모리 셀 상측에 형성되는 제2 메모리 셀을 구비하고,상기 제1 및 제2 메모리 셀은 도전성 재질로 이루어지는 하부 전극과, 상기 하부 전극상에 설치되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 설치됨과 더불어 도전성 재질로 이루어지는 상부 전극을 구비하여 구성되고,상기 강유전체층은 아조벤젠 및 PVDF가 결합된 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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