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회로 패턴이 식각된 기판;상기 기판의 상면에 소정의 두께로 형성된 정공수송층(HTL);상기 정공수송층의 상면에 소정의 두께로 형성되는 광활성층;상기 광활성층의 상면에 소정의 두께로 형성되고, 상기 광활성층에 입사된 빛으로부터 형성되는 전자기장의 분포를 변경함으로써 상기 광활성층에서 흡수되는 빛의 파장 영역을 근적외선(NIR) 영역으로 쉬프트(shift)시키는 광학 스페이서; 및상기 광학 스페이서의 상면에 형성되는 표면 전극;을 포함하고,외부로부터 전력 공급이 차단된 상태에서, 상기 광활성층에 인가되는 빛에 의해 발생되는 광기전력을 이용하여 동작하며,상기 광활성층은 PCPDTBT 중합체; 및 상기 PCPDTBT 중합체 내에 분산된 ZnO 나노입자; 및 2-(2-ethylhexyl)-1,3-dioxo-2,3-dihydro-1H-benzo[de]isoquinoline-6,7-dicarboxylic acid (BQ)를 더 포함하고,상기 광학 스페이서는,태양광 스펙트럼에 대하여 Short-circuit 전류 밀도를 광센서의 적층 방향의 수직 단면에 대하여 흡수된 전력을 계산하는 2D FDTD(2D finite difference time domain) 시뮬레이션을 통해 상기 Short-circuit 전류 밀도가 최대화되는 소정의 두께로 산출 형성되는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서,상기 광학 스페이서는,상기 흡수되는 빛의 파장 영역을 600 내지 900 nm로 쉬프트시키며,상기 흡수되는 빛의 파장 영역의 피크(peak)를 700 내지 750 nm로 쉬프트시키는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서,상기 광학 스페이서는 반도체 나노입자인 것을 특징으로 하는 광센서
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제 4 항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 ZnO 나노입자인 것을 특징으로 하는 광센서
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회로 패턴이 식각된 기판 준비 단계(S1);상기 기판의 상면에 소정의 두께로 정공수송층(20)을 형성하는 단계(S2);상기 정공수송층의 상면에 소정의 두께로 광활성층(30)을 형성하는 단계(S3);상기 광활성층의 상면에 소정의 두께로 광학 스페이서를 형성하는 단계(S4); 및상기 광학 스페이서의 상면에 표면 전극을 형성하는 단계(S5);를 포함하고,상기 광활성층을 형성하는 단계(S3)는,상기 정공수송층의 상면에 PCPDTBT 중합체; 및 PCPDTBT 중합체 내에 분산된 ZnO 나노입자가 스핀코팅 되고, 2-(2-ethylhexyl)-1,3-dioxo-2,3-dihydro-1H-benzo[de]isoquinoline-6,7-dicarboxylic acid (BQ)가 더 첨가되며,상기 광학 스페이서를 형성하는 단계(S4)는,태양광 스펙트럼에 대하여 Short-circuit 전류 밀도를 시뮬레이션하는 단계; 및상기 Short-circuit 전류 밀도를 최대화하는 광학 스페이서의 두께를 찾는 단계;를 포함하는 광학 스페이서 두께 산정 방법에 따라 산출된 두께로 광학 스페이서를 형성하고, 상기 시뮬레이션은,광센서의 적층 방향의 수직 단면에 대하여 흡수된 전력을 계산하는 2D FDTD(2D finite difference time domain) 방법 시뮬레이션인 것을 특징으로 하는 광센서의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 광학 스페이서는 반도체 나노입자인 것을 특징으로 하는 광센서의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 ZnO 나노입자인 것을 특징으로 하는 광센서의 제조 방법
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