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NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법

  • 기술번호 : KST2022014040
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법은 소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에 대한 읽기를 수행하고, 목적지 주소에 대응하는 물리적 페이지 및 상기 소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에 대한 프로그램 동작을 수행하고, 및 상기 소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에서 보안 프로그램 동작을 수행하는 것을 포함한다.
Int. CL G06F 21/79 (2013.01.01) G06F 21/60 (2013.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210034739 (2021.03.17)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0105561 (2022.07.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210007982   |   2021.01.20
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.03.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동훈 서울특별시 종로구
2 안나영 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍석 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호(구로동, 코오롱싸이언스밸리*차)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2021-0314497-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0367294-56
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2022-0693988-90
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0694017-61
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법에 있어서,소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에 대한 읽기를 수행하고;목적지 주소에 대응하는 물리적 페이지에 대한 프로그램 동작을 수행하고; 및상기 소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에서 보안 프로그램 동작을 수행하는,NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 보안 프로그램 동작은 원본 데이터를 변경하는 덮어 쓰기를 수행하는 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
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제2항에 있어서,상기 덮어 쓰기를 이용하여 선택된 워드 라인에 인접한 워드 라인들에 대해, 읽기 조건을 변경하여 읽기 동작을 더 수행하는 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 보안 프로그램 동작은 상기 소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에 랜덤 데이터를 프로그램밍하는 것을 포함하는 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 보안 프로그램 동작은 상기 소스 주소에 대응하는 물리적 페이지에 해당하는 워드 라인에 복수의 삭제 펄스를 인가하는 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 보안 프로그램 동작으로 인해 발생된 프로그램 방해를 줄이기 위하여, 보안 카피-백 프로그램 동작을 수행하는 것을 더 포함하는 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 보안 카피-백 프로그램 동작은,상기 NAND 메모리의 채널에 전원공급전압을 사전 충전하는 것을 포함하는 NAND 플래시 메모리의 보안 카피-백 프로그램 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 산학협력단 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 향상된 제어흐름 무결성 검증 기법이 통합된 컴파일러 설계 및 구현