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영역 선택적 금속 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022014052
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 반응성이 높은 전구체를 이용한 영역 선택적 금속 박막 제조방법에 관한 것으로, 광 조사를 통해 각 분자를 흡착시키기 쉬운 상태로 활성화하여 반응을 유도하고, 광 조사 영역을 조절함으로써 영역 선택적으로 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/18 (2006.01.01) C23C 16/04 (2006.01.01) C23C 16/48 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45553(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/04(2013.01) C23C 16/48(2013.01)
출원번호/일자 1020210008851 (2021.01.21)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0105910 (2022.07.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 엄태용 대전광역시 유성구
2 정택모 대전광역시 유성구
3 김창균 대전광역시 유성구
4 박보근 대전광역시 유성구
5 김건환 대전광역시 유성구
6 이선주 대전광역시 유성구
7 양하늘 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-0083710-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 내부에 하나 이상의 기판이 배치된 반응 챔버를 제공하는 단계;2) 빛을 영역 선택적으로 조사하면서 이중결합이 있는 전구체를 상기 반응 챔버로 주입하여 상기 기판 상에 상기 전구체를 고정하는 단계;3) 상기 전구체 퍼지 단계;4) 반응물을 상기 반응 챔버로 주입하고 상기 전구체와 반응시켜 금속 박막을 형성하는 단계; 및5) 상기 반응물 퍼지 단계;를 포함하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 빛의 파장범위는 200 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반응물은 산소(O2), 오존(O3), 수증기(H2O), 과산화수소(H2O2), 아산화질소(N2O), 일산화질소(NO) 또는 이산화질소(NO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 반응 챔버의 온도는 200 내지 250℃를 유지하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 반응 챔버의 온도는 200 내지 230℃를 유지하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제조방법은 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 이중결합이 있는 전구체는 L1-M-L2 구조를 가지며, 상기 M은 루테늄(Ru), 백금(Pt), 이리듐(Ir) 또는 금(Au)을 포함하고, 상기 L1 및 L2는 서로 독립적으로 C5~C10의 시클로알케닐기인 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 이중결합이 있는 전구체는 시클로헵타디에닐기(cycloheptadienyl) 또는 시클로펜타디에닐기(cyclopentadienyl)를 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 이중결합이 있는 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법 003c#화학식 1003e#{상기 화학식 1에서, 상기 M은 루테늄(Ru), 백금(Pt), 이리듐(Ir) 또는 금(Au)이다
10 10
제1항에 있어서, 상기 2) 단계 내지 5) 단계를 원하는 두께의 금속 박막을 얻을 때까지 반복하는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 빛이 조사된 영역에만 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 영역 선택적 금속 박막 제조방법
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 금속 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국화학연구원 한국화학연구원연구운영비지원(R＆D)(주요사업비) 차세대 전자소자를 위한 영역 선택적 광화학 원자층 박막 증착 기술 개발
2 산업통상자원부 한국화학연구원 소재부품기술개발(R＆D) 반도체 배선 공정용 금속박막 ALD 전구체 기술개발