| 1 |
1
페로브스카이트 화합물을 포함하는 광전 변환층, 상기 광전 변환층의 일측에 위치하는 제1 전달층, 그리고 상기 광전 변환층의 타측에 위치하는 제2 전달층을 포함하는 제1 광전 변환부; 상기 제1 광전 변환부의 상기 제2 전달층의 하부에 위치하며, 상기 제1 광전 변환부와 다른 물질 또는 구조를 가지는 제2 광전 변환부;상기 제1 광전 변환부의 수광면인 일면에서 상기 제1 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 광전 변환부의 하부에서 상기 제2 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 광전 변환층은 제1 두께 이상으로 형성되어 있는 태양 전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 두께는 400nm 내지 800nm를 충족하는 것을 특징으로 하는 태양 전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 광전 변환층은 적층 방향으로 균일한 조성을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제2 광전 변환부는, 반도체 기판, 상기 반도체 기판과 상기 제1 전극 사이에 위치하며 상기 반도체 기판과 별개로 형성된 제1 반도체층을 포함하는 제1 도전형 영역과, 상기 반도체 기판과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 반도체 기판과 별개로 형성된 제2 반도체층을 포함하는 제2 도전형 영역을 포함하는 이종 접합 구조를 가지는 태양 전지
|
| 5 |
5
페로브스카이트 화합물을 포함하는 광전 변환층, 상기 광전 변환층의 일측에 위치하는 제1 전달층, 그리고 상기 광전 변환층의 타측에 위치하는 제2 전달층을 포함하는 제1 광전 변환부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 광전 변환부의 일면에서 상기 제1 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 제1 광전 변환부의 타면에서 상기 제1 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는, 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 제1 광전 변환부를 형성 단계는, 상기 페로브스카이트 화합물을 이루는 제1 물질로 공극을 가지는 제1 성막을 형성하는 단계; 상기 공극을 매우며 상기 페로브스카이트 화합물을 이루는 제3 물질로 상기제1 성막 위에 제2 성막을 형성하는 단계; 및 열처리하여 상기 제1 성막 및 상기 제2 성막을 확산하여 상기 페로브스카이트 화합물을 형성하여 상기 광전 변환층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 제1 성막을 형성하는 단계는,상기 제1 물질과 상기 페로브스카이트 화합물을 이루지 않는 제2 물질을 함께 증착하여 상기 제1 성막을 형성하는 단계; 및상기 제1 성막에서 상기 제2 물질을 선택적으로 제거하여 상기 제1 성막에 상기 공극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 공극을 형성하는 단계는,열처리하여 상기 제2 물질을 증발시키는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 제2 물질을 증발시키는 열처리는 상기 제1 성막을 형성하는 증착기 내부에서 인시튜로 진행하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 제2 물질은 상기 제1 물질보다 증발 온도가 낮은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 10 |
10
제6항에 있어서, 상기 공극을 형성하는 단계는,상기 제1 성막을 습식 식각하여 상기 제2 물질을 선택적으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 공극을 형성하는 단계는,상기 제2 물질은 상기 제1 물질과 화학적 선택성을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 12 |
12
제5항에 있어서, 상기 제1 성막은 상기 광전 변환층의 두께와 같거나 큰 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 13 |
13
제5항에 있어서, 상기 제2 성막을 형성하는 단계는,화학적 기상 증착에 의해 상기 제3 물질을 상기 공극을 메우며 상기 제1 성막 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 14 |
14
제5항에 있어서, 상기 제2 성막을 형성하는 단계는, 스프레이, 침지, 블레이딩 등의 습식 공정을 통해 상기 제3 물질을 상기 공극을 메우며 상기 제1 성막 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 15 |
15
제5항에 있어서, 상기 제1 광전 변환부를 형성하는 단계 이전에 상기 제1 광전 변환부와 다른 물질 또는 구조를 가지는 제2 광전 변환부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 상기 제2 광전 변환부를 형성하는 단계는, 반도체 기판 위에 상기 반도체 기판과 별개로 형성된 제1 반도체층으로 구성되는 제1 도전형 영역 및 상기 반도체 기판과 별개로 형성된 제1 반도체층으로 구성되는 제2 도전형 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 제2 광전 변환부 위에 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 광전 변환부를 형성하는 단계에서는, 상기 접합층 위에 위치하는 상기 제2 전달층을 형성하고, 상기 제2 전달층 위에 상기 광전 변환층을 형성하고, 상기 광전 변환층 위에 상기 제1 전달층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 18 |
18
제6항에 있어서, 상기 제1 성막을 형성하는 단계는,상기 제1 성막의 전체 부피에 대하여, 상기 제1 물질을 30 내지 70vol%를 포함하고, 상기 제2 물질을 30 내지 70vol%을 갖도록 함께 증착하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
|
