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전이금속 박막을 준비하고, 상기 전이금속 박막 표면에 대하여 포토(photo) 공정을 수행하여, 포토 레지스트로 커버링된 보호영역과 포토 레지스트로부터 오픈된 개방영역으로 구분되는 마스크 패턴을 형성하는 제1단계와; 상기 전이금속 박막에 대하여 식각공정을 수행하여, 상기 개방영역은 식각되고 상기 보호영역은 식각되지 않은 형태의 입체 패턴을 형성하는 제2단계와;상기 전이금속 박막을 화학기상증착(CVD) 챔버에 삽입하여, 상기 전이금속 박막의 입체패턴 상에 그래핀을 합성하는 제3단계와;상기 보호영역과 상기 개방영역 각각에 대응되는 영역들에서 전사된 그래핀의 주름의 정도가 서로 다르도록, 합성된 그래핀을 유연(stretchable 또는 flexible)기판 상에 전사하는 제4단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 입체패턴 형성시에 상기 입체패턴의 굴곡제어를 통해, 상기 제4단계의 상기 유연기판 상의 상기 개방영역과 상기 보호영역 각각에 대응되는 영역에 전사된 그래핀의 주름의 정도를 제어함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제2단계의 상기 입체 패턴은 식각되지 않은 상기 보호영역, 일정깊이로 식각된 상기 개방영역, 및 상기 보호영역과 상기 개방영역의 경계를 구성하며 상기 보호영역의 측벽으로 기능하는 경사영역을 포함함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 입체 패턴의 굴곡 제어는, 상기 개방영역과 상기 보호영역의 단차 제어(식각깊이 제어), 상기 개방영역과 상기 보호영역 및 상기 경사영역의 면적제어, 및 상기 경사영역의 기울기 제어 중 적어도 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 유연기판에서 상기 개방영역에 대응되어 그래핀 주름이 형성된 부분은, 사용시에 가혹한 물리적 변형상태가 지속적으로 발생되는 부분임을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 입체패턴은 사용용도에 따라 일자형, 방사형, 원형 및 사각형 중 적어도 하나의 형상을 포함함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전이금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 로지움(Rh), 실리콘(Si), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr) 중 어느 하나가 사용됨을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전이금속 박막은 구리박막, 압연 구리박막, 구리 호일 및 전해 구리박막 중 어느 하나의 구리박막 임을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계와 상기 제3단계 사이에 상기 입체 패턴이 형성된 상기 전이금속 박막에 대하여 표면처리를 수행하는 표면처리 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제2단계와 상기 표면처리 단계 사이에, 상기 전이금속 박막 상의 마스크 패턴 및 불순물을 제거하는 단계와;상기 전이금속 박막의 산화층을 제거하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 표면처리단계는, 대기압 플라즈마 발생 장치, 유도결합 플라즈마(ICP), 반응성 이온 식각(RIE)장치, 화학적 이온 빔 식각(CAIBE)장치, 반응성 이온 빔 식각(RIBE)장치, 및 전자공명 플라즈마(ECR)장치 중에서 선택된 어느 하나의 장치를 이용하여 발생된 플라즈마를 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 표면처리단계는 아르곤이나 헬륨을 포함하는 불활성 단일가스 또는 이들이 혼합된 혼합가스를 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 또는 제9항에 있어서, 상기 제4단계에서 상기 전이금속 박막을 화학기상증착(CVD) 챔버에 삽입한 이후, 그래핀을 합성하기 전에, 수소분위기에서 열처리를 수행하여 상기 전이금속 박막의 표면 거칠기를 평탄화하는 열처리 단계를 더 수행함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 열처리단계는, 100~200mTorr 압력에서 수소(H2)를 45sccm로 주입하고 1000℃에서 30분 동안 수행되거나, 상기 챔버 내부 온도 600℃ 이상에서 수소를 주입하고 1000℃까지 승온시키고 30분을 유지되도록 하는 방식으로 수행됨을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 화학기상증착(CVD) 챔버는 열화학기상증착(Thermal Chemical Vapor Deposition: T-CVD) 챔버임을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 화학기상증착(CVD) 공정은 900~1000℃ 온도 범위에서 수행됨을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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전이금속 박막에 대하여 굴곡을 가지는 입체패턴을 형성하고, 상기 입체패턴 상에 그래핀을 합성하여 유연기판 상에 전사하되, 상기 입체패턴의 굴곡제어를 통해, 합성되는 그래핀과 상기 그래핀이 전사되는 상기 유연기판과의 면적 불일치를 증가 또는 감소시킴으로써, 유연기판에 전사되는 그래핀의 주름의 진폭을 제어함을 특징으로 하는 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법
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