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질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS)로 개질된 전극 상에 전기중합된 5-아미노-2-머캡토-1,3,4-티아다이아졸 (electropolymerizing 5-amino-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole; p-AMT)로 코팅하는 것을 특징으로 하는, 페놀계 화합물 동시 검출용 센서
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청구항 1에 있어서, 상기 질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS)는 질소 분위기에서 폴리(o-페닐렌다이아민)(poly(o-phenylenediamine); PoPD) 미소 구체가 탄화된 것을 특징으로 하는 페놀계 화합물 동시 검출용 센서
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청구항 1에 있어서, 상기 질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS)는 0
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청구항 1에 있어서, 상기 페놀계 화합물은 갈산(2,3,4-trihydroxybenzoic acid, GA) 및 카페인산(3,4-dihydroxycinnamic acid, CA)인 것을 특징으로 하는 페놀계 화합물 동시 검출용 센서
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청구항 1에 있어서, 상기 센서는 아스코르빈산(ascorbic acid), 요산(uric acid), 하이드로퀴논(hydroquinone), 카테콜(catechol), 포타슘이온(K+), 소듐이온(Na+), 마그네슘이온(Mg2+), 구리이온(Cu2+), 니켈이온(Ni2+), 질산이온(NO3-), 염소이온(Cl-), 황산이온(SO42-), 및 글루코스(glucose)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물에 대해 간섭 내성을 갖는 것을 특징으로 하는 페놀계 화합물 동시 검출용 센서
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(i) o-페닐렌다이아민(o-phenylenediamine) 단량체를 물에 녹이고 실온에서 반응한 후, 0에서 10 ℃의 온도에서 10에서 60분간 추가로 교반하는 단계;(ii) 상기 교반한 반응물에 과황산암모늄(ammonium persulfate; APS)을 첨가하는 단계;(iii) 상기(ii) 단계의 반응물을 물로 세척하고, 진공 및 40에서 60 ℃ 조건에서 15에서 40시간 건조하여 폴리(o-페닐렌다이아민)(poly(o-phenylenediamine); PoPD) 미소 구체를 형성하는 단계; 및(iv) 상기 폴리(o-페닐렌다이아민) 미소 구체를 질소 분위기 하에서 탄화시키는 단계;를 포함하는 질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS) 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 질소 분위기 하에서 탄화는 700에서 900 ℃에서 60에서 180분간 하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS) 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 질소가 도핑된 탄소 구체는 0
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(i) 전극을 세척하고 초음파 처리하는 단계;(ii) 질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS)에 바인더 용액 및 알코올을 혼합하여 현탁액을 만드는 단계;(iii) 상기 전극에 상기 현탁액을 드롭 캐스팅(drop-casting)하여 건조하여 질소가 도핑된 탄소 구체로 개질된 전극(N-CS/GC)을 제조하는 단계; 및(iv) 상기 질소가 도핑된 탄소 구체로 개질된 전극에 5-아미노-2-머캡토-1,3,4-티아다이아졸 (5-amino-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole; AMT) 단량체를 전기중합 시키는 단계;를 포함하는 페놀계 화합물 동시 검출용 센서 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 질소가 도핑된 탄소 구체는 (i) o-페닐렌다이아민(o-phenylenediamine) 단량체를 물에 녹이고 실온에서 반응한 후, 0에서 10 ℃의 온도에서 10에서 60분간 추가로 교반하는 단계; (ii) 상기 교반한 반응물에 과황산암모늄(ammonium persulfate; APS)을 첨가하는 단계; (iii) 상기 (ii) 단계의 반응물을 물로 세척하고, 진공 및 40에서 60 ℃ 조건에서 20에서 30시간 건조하여 폴리(o-페닐렌다이아민)(poly(o-phenylenediamine); PoPD) 미소 구체를 형성하는 단계; 및 (iv) 상기 폴리(o-페닐렌다이아민) 미소 구체를 질소 분위기 하에서 700에서 900 ℃에서 60에서 180분간 탄화시키는 단계;를 포함하는 제조방법에 의해 제조된 질소가 도핑된 탄소 구체(nitrogen-doped carbon sphere; N-CS)인 것을 특징으로 하는 페놀계 화합물 동시 검출용 센서 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 전기중합은 질소가 도핑된 탄소 구체로 개질된 전극에 강산용액에 용해된 5-아미노-2-머캡토-1,3,4-티아다이아졸(5-amino-2-mercapto-1,3,4-thiadiazole: AMT)을 45에서 55 mV s-1의 스캔속도로 --0
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