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졸겔 솔루션, 형광체 입자 및 가교제를 믹싱하는 믹싱과정;상기 믹싱과정을 거친 혼합물을 임시 기판 상에 배치하는 제1 배치과정;혼합물이 배치된 임시 기판을 진공 환경에 노출시키는 노출과정;복수의 임시 기판으로 상기 혼합물을 압착시키는 압착과정;상기 가교제를 경화시키는 경화과정;상기 혼합물을 임시 기판에서 분리하여 메인 기판 상에 배치하는 제2 배치과정;상기 메인 기판 상에 배치된 혼합물을 제1 기 설정된 환경에서 열처리하는 제1 열처리 과정; 및상기 제1 열처리 과정을 거친 혼합물을 제2 기 설정된 환경에서 열처리하는 제2 열처리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 기 설정된 환경은,상기 제1 기 설정된 환경보다 높은 온도인 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 경화과정은,혼합물로 광, 전자 빔 또는 열을 가하여 혼합물 내 가교제를 경화시키는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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제1항에 있어서,상기 임시기판은,광 또는 전자 빔을 통과시키며, 이형성이 기 설정된 기준치 이상인 재질로 구현되는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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졸겔 솔루션, 형광체 입자 및 가교제를 믹싱하는 믹싱과정;상기 믹싱과정을 거친 혼합물을 임시 기판 상에 배치하는 제1 배치과정;혼합물이 배치된 임시 기판을 진공 환경에 노출시키는 노출과정;상기 가교제를 경화시키는 경화과정;상기 혼합물을 임시 기판에서 분리하여 메인 기판 상에 배치하는 제2 배치과정;상기 혼합물을 필름 형태로 제조하는 제조과정;상기 메인 기판 상에 배치된 혼합물을 제1 기 설정된 환경에서 열처리하는 제1 열처리 과정; 및상기 제1 열처리 과정을 거친 혼합물을 제2 기 설정된 환경에서 열처리하는 제2 열처리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제2 기 설정된 환경은,상기 제1 기 설정된 환경보다 높은 온도인 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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7
제5항에 있어서,상기 경화과정은,혼합물로 광, 전자 빔 또는 열을 가하여 혼합물 내 가교제를 경화시키는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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8
제5항에 있어서,상기 임시기판은,광 또는 전자 빔을 통과시키며, 이형성이 기 설정된 기준치 이상인 재질로 구현되는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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졸겔 솔루션, 형광체 입자 및 가교제를 믹싱하는 믹싱과정;상기 믹싱과정을 거친 혼합물을 메인 기판 상에 배치하는 배치과정;혼합물이 배치된 메인 기판을 진공 환경에 노출시키는 노출과정;상기 혼합물을 압착하는 압착과정;압착된 혼합물 내 가교제를 경화시키는 경화과정;상기 메인 기판 상에 배치된 혼합물을 제1 기 설정된 환경에서 열처리하는 제1 열처리 과정; 및상기 제1 열처리 과정을 거친 혼합물을 제2 기 설정된 환경에서 열처리하는 제2 열처리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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10
제9항에 있어서,상기 메인 기판은,광 또는 전자 빔을 통과시키고, 이형성이 기 설정된 기준치 이상이며, 상기 제2 기 설정된 환경에서도 변이되지 않는 재질로 구현되는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 메인 기판은,유리 또는 실리콘 웨이퍼로 구현되는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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12
졸겔 솔루션, 형광체 입자 및 가교제를 믹싱하는 믹싱과정;상기 믹싱과정을 거친 혼합물을 메인 기판 상에 배치하는 배치과정;혼합물이 배치된 메인 기판을 진공 환경에 노출시키는 노출과정;상기 가교제를 경화시키는 경화과정;상기 혼합물을 필름 형태로 제조하는 제조과정;상기 메인 기판 상에 배치된 혼합물을 제1 기 설정된 환경에서 열처리하는 제1 열처리 과정; 및상기 제1 열처리 과정을 거친 혼합물을 제2 기 설정된 환경에서 열처리하는 제2 열처리과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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13
제12항에 있어서,상기 메인 기판은,광 또는 전자 빔을 통과시키고, 이형성이 기 설정된 기준치 이상이며, 상기 제2 기 설정된 환경에서도 변이되지 않는 재질로 구현되는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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14
제13항에 있어서,상기 메인 기판은,유리 또는 실리콘 웨이퍼로 구현되는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트 제조방법
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15
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 형광체 플레이트
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16
입사되는 광의 파장을 변이시키는 형광체 플레이트에 있어서,티타늄 산화물 및 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트
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제16항에 있어서,상기 형광체 플레이트는,알루미늄 산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 플레이트
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