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(a) 소정의 실리콘 나노입자와 탄소나노튜브 분말을 에탄올에 첨가하고 교반한 후 혼합물을 소정 시간 동안 초음파 처리하여 SiNPs/CNT 혼합 용액을 제조하는 단계;(b) GO 수용액을 상기 (a) 단계에서 제조된 SiNPs/CNT 혼합 용액에 첨가하고, 생성된 혼합물을 초음파 처리하고 소정 시간동안 교반하여 SiNPs/CNT/GO 분산액을 제조하는 단계;(c) 상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 필터링 및 건조시켜 SiNPs/CNT/GO 복합필름을 제조하는 단계; 및 (d) 열처리 과정을 통해 열적으로 환원된 SiNPs/CNT/rGO 복합 필름을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘／탄소나노튜브／그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 실리콘 나노입자와 탄소나노튜브 분말은 1: 1의 질량 비율로 첨가되는 것을 특징으로 하는 실리콘／탄소나노튜브／그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 (a) 단계에서 제조된 SiNPs/CNT 혼합 용액에 대비하여 부피비 7
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 PTFE 필터를 이용하여 진공 필터링하는 것을 특징으로 하는 실리콘／탄소나노튜브／그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 필터링 과정 중 상기 분산액의 부피를 조절하여 상기 SiNPs/CNT/GO 복합필름의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘／탄소나노튜브／그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서,상기 열처리 과정에서 상기 SiNPs/CNT/GO 복합 필름을 석영관에 넣고 최대 550℃까지 승온하여 Ar 가스를 흘려주어 열적으로 환원된 SiNPs/CNT/rGO 복합 필름을 제조하는 것을 특징으로 하는 실리콘／탄소나노튜브／그래핀 복합체 제조방법
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(a) 소정의 실리콘 나노입자와 탄소나노튜브 분말을 에탄올에 첨가하고 교반한 후 혼합물을 소정 시간 동안 초음파 처리하여 SiNPs/CNT 혼합 용액을 제조하는 단계;(b) GO 수용액을 상기 (a) 단계에서 제조된 SiNPs/CNT 혼합 용액에 첨가하고, 생성된 혼합물을 초음파 처리하고 소정 시간동안 교반하여 SiNPs/CNT/GO 분산액을 제조하는 단계;(c) 상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 필터링 및 건조시켜 SiNPs/CNT/GO 복합필름을 제조하는 단계; (d) 열처리 과정을 통해 열적으로 환원된 SiNPs/CNT/rGO 복합 필름을 제조하는 단계; 및(e) 상기 SiNPs/CNT/rGO 복합 필름을 음극재로 사용하여 이차전지를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (e) 단계에서 전해질은,에틸렌 카보네이트(EC), 디메틸 카보네이트(DMC) 및 에틸 메틸 카보네이트(EMC)을 1:1:1 부피비로 혼합한 용액에 1M LiPF6를 용해하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제7항에 있어서,작업전극(working electrode)을 전도성 첨가제 및 바인더를 사용하지 않고 상기 SiNPs/CNT/rGO 복합 필름을 이용하고, 상대전극 및 기준 전극으로 Li 금속을 이용하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 실리콘 나노입자와 탄소나노튜브 분말은 1: 1의 질량 비율로 첨가되는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 (a) 단계에서 제조된 SiNPs/CNT 혼합 용액에 대비하여 부피비 7
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 PTFE 필터를 이용하여 진공 필터링하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 필터링 과정 중 상기 분산액의 부피를 조절하여 상기 SiNPs/CNT/GO 복합필름의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제13항에 있어서,상기 SiNPs/CNT/GO 분산액을 20~30ml 범위에서 첨가하여 방전용량을 조절하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 열처리 과정에서 상기 SiNPs/CNT/GO 복합 필름을 석영관에 넣고 최대 550℃까지 승온하여 Ar 가스를 흘려주어 열적으로 환원된 SiNPs/CNT/rGO 복합 필름을 제조하는 것을 특징으로 하는 이차전지 제조방법
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