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기판 상에 형성되며, 표면 및 상기 표면에 구비된 복수의 피트-홀(pit-hole) 에 금속 나노입자(nano-particle)가 흡착되는 복수의 나노선(nano-wire)을 포함하고, 상기 금속 나노입자는, 상기 복수의 나노선 각각에 대하여 에너지 필터링(energy filtering)과 열 확산(heat dissipation)을 수행하는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는, 상기 복수의 나노선 중 대응되는 나노선과의 인접면에 형성되는 쇼트키 베리어(schottky barrier)를 통해 상기 에너지 필터링을 수행하는 것을 특징으로 하는열전 발전소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 금속 나노입자는 금(Au) 나노 입자인 것을 특징으로 하는 열전 발전소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 나노선은 촉매 금속 에칭(metal-assisted chemical etching, MACE)을 통해 상기 기판에 수직으로 형성되는 실리콘 나노선인 것을 특징으로 하는 열전 발전소자
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5
제1항에 있어서, 상기 복수의 나노선은 상기 기판의 상부에 형성되는 제1 나노선 다발 및 상기 기판의 하부에 형성되는 제2 나노선 다발을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자
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제5항에 있어서, 상기 제1 나노선 다발은 일측에 상기 기판이 연결되고 타측에 상부 전극이 연결되며, 상기 제2 나노선 다발은 일측에 상기 기판이 연결되고, 타측에 하부 전극이 연결되는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자
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촉매 금속 에칭(metal-assisted chemical etching, MACE)를 통해 기판 상에 복수의 피트-홀(pit-hole)이 표면에 형성된 복수의 나노선(nano-wire)을 형성하는 단계 및 상기 복수의 나노선에 금속 나노입자(nano-particle)를 흡착시키는 단계를 포함하고, 상기 금속 나노입자는, 상기 복수의 나노선 각각에 대하여 에너지 필터링(energy filtering)과 열 확산(heat dissipation)을 수행하는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 나노입자는, 상기 복수의 나노선 중 대응되는 나노선과의 인접면에 형성되는 쇼트키 베리어(schottky barrier)를 통해 상기 에너지 필터링을 수행하는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 복수의 나노선을 형성하는 단계는, 실리콘 웨이퍼 상에 불산-은 수용액을 도포하는 단계;상기 불산-은 수용액이 도포된 실리콘 웨이퍼에서 은 입자가 덮고 있는 영역을 식각하는 단계 및 상기 식각된 실리콘 웨이퍼에 존재하는 상기 은 입자를 제거하여 상기 복수의 나노선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 나노입자를 흡착시키는 단계는,무전해 증착(electroless deposition)을 통해 상기 복수의 나노선의 표면에 상기 금속 나노입자를 흡착시키는 것을 특징으로 하는 열전 발전소자의 제조방법
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