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배기가스가 유입되는 유입라인;상기 유입라인과 연결되어 상기 배기가스가 유입되고, 내부에 선택적 환원촉매층이 구비되며, 암모니아(NH3)를 포함하는 환원제가 주입되어 상기 유입된 배기가스를 처리하여 질소산화물이 제거된 제1 처리가스를 생성하는 SCR(선택적 환원촉매) 유닛;상기 SCR 유닛의 후단에 연결되며, 상기 제1 처리가스가 배출되는 배출라인; 및상기 배출라인 및 유입라인과 연결되는 순환라인;을 포함하며,상기 순환라인은, 상기 배출라인과 연결되며, 내벽에 전이금속 산화물을 포함하는 제1 촉매층이 형성된 제1 구역; 내벽에 귀금속을 포함하는 제2 촉매층이 형성된 제2 구역; 및 상기 유입라인과 연결되며, 내벽에 전이금속을 포함하는 제3 촉매층이 형성된 제3 구역;이 순차적으로 형성된 것이며,상기 제1 처리가스의 적어도 일부는 상기 순환라인으로 유입되어 상기 제1 구역, 제2 구역 및 제3 구역을 거쳐 상기 처리가스 중 슬립 암모니아(slip NH3)를 처리하여, 제2 처리가스를 생성하며,상기 제2 처리가스는 상기 유입라인으로 유입되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 촉매층은 산화구리(CuO)를 포함하는 활성물질 및 이를 지지하는 알루미나계 지지체를 포함하고,상기 제2 촉매층은 백금(Pt) 및 로듐(Rh)을 포함하는 활성물질 및 이를 담지하는 알루미나계 지지체를 포함하고, 그리고상기 제3 촉매층은 구리(Cu) 및 망간(Mn)을 포함하는 활성물질 및 이를 담지하는 제올라이트계 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치
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제2항에 있어서, 상기 제2 코팅층은 상기 백금(Pt) 0
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제1항에 있어서, 상기 제1 구역, 제2 구역 및 제3 구역은 1:0
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제1항에 있어서, 상기 제2 처리가스는 질소(N2) 및 이산화질소(NO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 처리가스는 온도가 200~350℃ 이며,상기 제2 처리가스는 온도가 150~350℃인 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치
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제1항에 있어서, 상기 순환라인의 내부에는 하나 이상의 순환 팬이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치
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배기가스를 유입라인을 통해 선택적 환원촉매층이 구비된 SCR(선택적 환원촉매) 유닛으로 유입하는 단계;상기 유입된 배기가스를 암모니아(NH3)를 포함하는 환원제가 주입되어 처리하여 질소산화물이 제거된 제1 처리가스를 생성하는 단계; 및상기 제1 처리가스를 SCR 유닛의 후단에 연결된 배출라인을 통해 배출하는 단계;를 포함하는 배기가스 처리장치를 이용한 배기가스 처리방법이며,상기 배기가스 처리장치는 상기 배출라인 및 유입라인과 연결되는 순환라인을 포함하고, 상기 순환라인은, 상기 배출라인과 연결되며, 내벽에 전이금속 산화물을 포함하는 제1 촉매층이 형성된 제1 구역; 내벽에 귀금속을 포함하는 제2 촉매층이 형성된 제2 구역; 및 상기 유입라인과 연결되며, 내벽에 전이금속을 포함하는 제3 촉매층이 형성된 제3 구역;이 순차적으로 형성된 것이며,상기 제1 처리가스의 적어도 일부는 상기 순환라인으로 유입되어 상기 제1 구역, 제2 구역 및 제3 구역을 거쳐 상기 처리가스 중 슬립 암모니아(slip NH3)를 처리하여, 제2 처리가스를 생성하며,상기 제2 처리가스는 상기 유입라인으로 유입되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리방법
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제8항에 있어서,상기 제1 촉매층은 산화구리(CuO)를 포함하는 활성물질 및 이를 지지하는 알루미나계 지지체를 포함하고,상기 제2 촉매층은 백금(Pt) 및 로듐(Rh)을 포함하는 활성물질 및 이를 담지하는 알루미나계 지지체를 포함하고, 그리고상기 제3 촉매층은 구리(Cu) 및 망간(Mn)을 포함하는 활성물질 및 이를 담지하는 제올라이트계 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 코팅층은 상기 백금(Pt) 0
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제8항에 있어서, 상기 제1 구역, 제2 구역 및 제3 구역은 1:0
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제8항에 있어서, 상기 제2 처리가스는 질소(N2) 및 이산화질소(NO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리방법
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