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방사선 열화의 진단 대상인 제1 전자소자, 상기 제1 전자소자에 연결되어 측정 전압의 초기값을 결정하는 고정 저항, 상기 제1 전자소자에 공급되는 전압을 공유하고, 방사선 열화의 비교 대상인 제2 전자소자,상기 제2 전자소자에 연결되어 기준 전압을 설정하는 제어저항, 그리고상기 제1 전자소자의 측정 전압이 상기 제2 전자소자로부터 측정된 기준 전압 이하의 값을 가지게 되면 미리 설정된 값을 출력하는 비교기, 를 포함하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제1항에서, 상기 비교기로부터 상기 미리 설정된 출력값을 입력받으면, 미리 설정된 경보음을 출력하거나 문자, 패턴, 또는 이미지 중에서 하나 이상을 표시하거나 연동된 조명을 제어하는 경보 장치를 더 포함하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제1항에서,상기 제2 전자소자는, 가변형 게이트 구조의 모스펫(MOSFET)으로, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치되는 게이트의 양단에 형성된 추가 게이트와 상기 추가 게이트 엣지에 접촉되거나 일부가 포함되도록 형성된 P+ 레이어와 상기 P+ 레이어 상에서 위치하는 P-액티브 레이어를 포함하는 레이어 세트를 포함하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제3항에서,상기 소스 영역, 상기 드레인 영역 그리고 상기 게이트 상에 N+ 레이어가 형성되고, 상기 N+ 레이어의 일 영역에 대응하여 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 포함하는 N 액티브 레이어가 위치하며, 상기 P-액티브 레이어는 N-액티브 레이어와 경계면이 맞닿도록 배치되는 방사선열화 진단 회로 장치
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제4항에서,상기 추가된 게이트는,상기 게이트의 일단의 너비보다 좁은 영역이 맞닿도록 형성되며, 상기 N+ 레이어와 이격되어 위치하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제4항에서,상기 추가된 게이트는, 상기 게이트의 일단에서 상기 게이트의 너비보다 양방향으로 넓은 너비를 가지면서, 상기 소스 영역의 상기 드레인 영역을 포함하는 너비보다 좁은 너비를 가지도록 형성되고, 상기 게이트의 타단의 일부 영역에서 일방향으로 형성되는 방사선열화 진단 회로 장치
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제3항에서,상기 고정 저항 또는 상기 제어 저항은, 스위칭 특성을 가지는 상기 가변형 게이트 구조의 모스펫으로 구성하여, 상기 가변형 게이트 구조의 모스펫의 사이즈 또는 게이트 전압을 조절하여 저항값을 설정하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제1항에서, 저항만으로 구성된 고정 전압, 그리고상기 고정 전압을 기준으로 상기 제2 전자소자의 기준 전압과 비교하여 전압간의 차이 값이 바뀌면 미리 설정된 값을 출력하는 제2 비교기를 더 포함하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제8항에서, 연동되는 경보 장치를 통해 상기 제2 비교기에서 상기 미리 설정된 출력값을 입력받으면, 상기 제2 전자소자의 이상 동작에 관한 알림 메시지를 생성하여 출력하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제1항에서, N개의 상기 제어 저항에 따른 N개의 기준 전압과 상기 제1 전자소자의 측정 전압을 각각 비교하는 N개의 비교기를 구비하고, 상기 N개의 비교기로부터 입력받은 출력값을 디지털 신호로 변환하여 출력하는 인코더(N은 자연수),를 더 포함하는 방사선열화 진단 회로 장치
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제10항에서, 연동되는 경보 장치를 통해 상기 인코더의 출력값에 기초하여 미리 설정된 상기 제1 전자소자의 N개의 방사선 열화 단계 중에서 해당되는 방사선 열화 단계를 출력하는 방사선열화 진단 회로 장치
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