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NCM계 양극 활물질 및 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극재
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제1항에 있어서,상기 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제는 아민기와 술폰기를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극재
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제2항에 있어서,상기 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제는 양극재 표면에 아민기와 술폰기로 기능화된 양극 전해질 중간상(Cathode-Electrolyte Interphase, CEI) 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극재
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제1항에 있어서,상기 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제는 양극재 중량대비 1
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제 1 항에 있어서, 상기 NCM계 양극 활물질은 LiNi0
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NCM계 양극 활물질 및 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제를 혼합하는 단계; 및상기 NCM계 양극 활물질 및 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제의 혼합물을 열처리하는 단계;를 포함하는리튬 이차전지용 양극재 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 전기로에서 400℃로 가열하고, 냉각 후 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 개질 양극재에 대하여 120℃에서 3시간 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극재 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 N,N,N,N-테트라에틸술파미드(N,N,N,N-tetraethylsulfamide) 첨가제는 양극재 표면에 아민기와 술폰기로 기능화된 양극 전해질 중간상(Cathode-Electrolyte Interphase, CEI) 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 양극재 제조방법
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양극; 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 배치되는 전해질층을 포함하며,상기 양극은 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 양극재를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지
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제9항에 있어서,상기 양극은 LiNi0
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제9항에 있어서,상기 양극 표면에는 아민기와 술폰기로 기능화된 양극 전해질 중간상(Cathode-Electrolyte Interphase, CEI) 층이 형성된 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지
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