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복수의 단위 스트립을 갖는 미스트 회수 구조체로서, 상기 복수의 단위 스트립은, 초소수성층이 배치된 전면과, 상기 초소수성층의 표면 젖음성보다 높은 표면 젖음성을 갖는 후면과, 상기 전면과 상기 후면이 서로 연결되는 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 단위 스트립의 종방향 단면은, 사각형 또는 육각형 중 어느 하나로서, 상기 전면과 상기 후면의 표면 젖음성 차이가 발생하는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 단위 스트립의 전면의 폭은, 상기 단위 스트립의 측면의 폭보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 3 항에 있어서, 상기 복수의 단위 스트립의 전면의 폭은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 단위 스트립은 메쉬 구조를 이루고, 상기 복수의 단위 스트립 사이마다 공극이 형성되는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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6
제 5 항에 있어서, 상기 공극의 크기는 5mm × 5mm 이상인 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 5 항에 있어서, 상기 미스트 회수 구조체 중 상기 복수의 단위 스트립의 전면의 총 면적은, 상기 미스트 회수 구조체 총 면적의 10% 내지 20%인 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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8
제 1 항에 있어서, 상기 초소수성층은, 상기 전면 위에 배치되는 복수의 나노 구조체, 및 상기 복수의 나노 구조체 위에 배치되는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 소수성 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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9
제 8 항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조체의 높이는 50nm 내지 150nm이고, 상기 복수의 나노 구조체의 폭은 5nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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10
제 8 항에 있어서, 상기 코팅층은 5nm 내지 100nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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11
제 8 항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조체는, 플라즈마 식각, 반응성 이온 식각, 이온 밀링, 또는 방전가공 중에서 선택된 방법으로 상기 단위 스트립의 전면에 배치되는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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12
제 8 항에 있어서, 상기 코팅층은, 플라즈마 화학기상증착, 상압 화학기상증착, 저압 화학기상증착, 유기금속 화학기상증착, 초고진공 화학기상증착, 또는 원자층 증착 중에서 선택된 방법으로, 상기 복수의 나노 구조체 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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