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피 처리물의 표면에 부착되며 플라즈마 방전이 발생하는 방전공간을 형성하는 헤드부, 및 상기 방전공간으로 방전을 유도하는 방전부를 포함하는 플라즈마 발생유닛; 및상기 방전공간과 개방됨에 따라 상기 방전공간의 압력을 대기압보다 낮은 저압으로 형성하는 저압 형성유닛을 포함하는 플라즈마 표면처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 방전부는,상기 방전공간으로 인입되어 위치하는 전극부; 및상기 전극부로 전원을 제공하는 전원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제2항에 있어서, 상기 플라즈마 발생유닛은, 상기 전극부가 상기 방전공간으로 인입되는 경우, 상기 전극부와 상기 헤드부 사이를 절연시키는 절연부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제3항에 있어서, 상기 플라즈마 발생유닛은, 피 처리물의 표면과 상기 헤드부 사이를 밀폐하는 제1 밀폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제4항에 있어서,상기 헤드부 중, 방전처리 시 피처리물과 접촉하는 일표면 중 일부에 상기 헤드부와 피처리물 사이의 전기적 연결을 용이하게 하는 접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생유닛은, 상기 방전부 및 상기 헤드부를 커버하는 제1 커버부; 및상기 제1 커버부의 외부를 커버하며, 도체로 형성되고 접지되는 제2 커버부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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7
제6항에 있어서, 상기 제1 커버부는, 부도체로 형성되거나, 내부에 냉각수 또는 공기가 채워지거나, 내부가 진공 상태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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8
제1항에 있어서, 상기 저압 형성유닛은, 대기압보다 압력이 낮은 저압 공기를 저장하는 챔버부; 상기 챔버부와 상기 헤드부를 연결하는 연결부; 및상기 연결부 상에 구비되어, 상기 연결부를 선택적으로 개방 또는 차단하는 밸브부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제8항에 있어서, 상기 챔버부의 공기는 펌프에 의해 외부로 제거되어, 상기 챔버부의 압력은 대기압보다 낮은 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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10
제8항에 있어서, 상기 챔버부가 형성하는 챔버공간의 부피는, 상기 방전공간의 부피보다 상대적으로 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제8항에 있어서, 상기 밸브부는, 상기 헤드부가 접지부를 통해 헤드부와 피처리물이 전기적으로 연결되는 경우, 개방되어 상기 방전공간이 상대적으로 저압 상태로 변경되고, 피 처리물에 대한 표면처리가 종료되는 경우 차단되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제11항에 있어서, 전원부의 전원이 차단되는 경우, 상기 밸브부가 차단되며, 상기 방전공간은 상기 헤드부에 형성되는 환기밸브가 개방되어 대기압 상태가 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제10항에 있어서, 상기 플라즈마 발생유닛이 복수개가 구비되는 경우, 상기 연결부는 복수개가 상기 챔버부와 상기 각각의 플라즈마 발생유닛의 헤드부를 연결하며, 상기 밸브부는 상기 각각의 연결부 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제13항에 있어서, 상기 복수개의 헤드부에 연결된 전극부는 상기 챔버부에 포함된 전원에 순차적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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15
제1항에 있어서, 상기 방전공간에서 방전이 유도되는 경우, 상기 방전공간의 내부로 방전유도 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면처리 장치
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제1항의 플라즈마 표면처리 장치를 이용한 플라즈마 표면처리 방법에서, 피 처리물의 표면에 상기 헤드부를 밀착시키는 단계; 상기 방전공간을 대기압보다 낮은 저압을 제공하여 감압하는 단계; 상기 방전부가 상기 방전공간에 방전을 유도하는 단계; 피 처리물의 표면처리가 종료됨에 따라 상기 방전공간을 개방하여 대기압 상태로 전환하는 단계; 및피 처리물의 표면으로부터 상기 헤드부를 탈착시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표면처리 방법
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제16항에 있어서, 상기 방전공간에 방전을 유도하기 전에, 상기 방전공간의 내부로 방전유도 가스를 제공하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표면처리 방법
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