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표면 제어된 양자점, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광센서

  • 기술번호 : KST2022014577
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 공유결합성 양자점; 및 상기 공유결합성 양자점 상에 형성된 불소 화합물; 을 포함하는, 표면 제어된 양자점에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/08 (2006.01.01) C09K 11/62 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC C09K 11/025(2013.01) C09K 11/08(2013.01) C09K 11/62(2013.01) B82Y 20/00(2013.01)
출원번호/일자 1020210012131 (2021.01.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0108988 (2022.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.28)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정소희 서울특별시 서초구
2 고원규 경기도 수원시 영통구
3 박중필 경기도 수원시 영통구
4 김태완 경기도 수원시 장안구
5 신대권 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2021-0113670-05
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공유결합성 양자점; 및상기 공유결합성 양자점 상에 형성된 불소 화합물;을 포함하는,표면 제어된 양자점
2 2
제 1 항에 있어서,상기 불소 화합물에 의해 상기 공유결합성 양자점의 표면이 개질된 것인,표면 제어된 양자점
3 3
제 1 항에 있어서,상기 공유결합성 양자점은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 포함하는 것인,표면 제어된 양자점
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ 족 화합물은 InAs, InP, In1-xGaxP1-yAsy(x 및 y는 0 초과 1 미만), In1-xZnxP1-yAsy (x 및 y는 0 초과 1 미만) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,표면 제어된 양자점
5 5
제 1항에 있어서, 상기 불소 화합물은 HF, R4NF (R=C1-C6 알킬기), BF4, PF6 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 표면 제어된 양자점
6 6
표면에 유기 리간드가 형성된 공유 결합성 양자점을 포함하는 제 1 용액을 제조하는 단계; 및상기 제 1 용액에 불소 이온 함유 전구체를 포함하는 제 2 용액을 첨가하는 단계를 포함하는, 표면 제어된 양자점의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 용액에 불소 이온 함유 전구체를 포함하는 제 2 용액을 첨가하는 단계에서, 상기 양자점 표면의 유기 리간드가 불소 화합물로 치환되는 것인,표면 제어된 양자점의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 불소 이온은 F-, BF4-, PF6- 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인,표면 제어된 양자점의 제조 방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 제 1 용액을 제조하는 단계는,Ⅲ 족 전구체 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계;하기 화학식 1 로서 표시되는 화합물을 이용하여 Ⅴ 족 전구체를 환원시키는 단계;상기 용액 및 상기 환원된 Ⅴ 족 전구체를 혼합하는 단계;를 포함하는 것인, 표면 제어된 양자점의 제조 방법:[화학식 1]R-M-R(화학식 1 에서, R 은 수소 또는 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C6 의 알킬이고,M 은 Ⅱ 족 금속임)
10 10
제 9 항에 있어서,상기 혼합하는 단계는 1℃ 내지 350℃ 의 온도범위에서 수행되는 것인, 표면 제어된 양자점의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 온도범위에 따라 상기 양자점의 직경이 조절되는 것인,표면 제어된 양자점의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 용매는 올레일아민(Oleylamine), 부틸아민(Butylamine), 옥틸아민(Octylamine), 도데실아민(Dodecylamine), 헥사데실아민(Hexadecylamine), 헥실아민(hexylamine), 프로필아민(propylamine), 아닐린(aniline), 벤질아민(benzylamine), 옥타데실아민(octadecylamine) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 제어된 양자점의 제조 방법
13 13
제 9 항에 있어서,상기 Ⅱ 족 금속은 아연, 카드뮴, 수은 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 제어된 양자점의 제조 방법
14 14
제 9 항에 있어서,상기 화학식 1 로서 표시되는 화합물은 디에틸 아연, 디메틸 아연, 디페닐 아연, 디-n-프로필 아연, 디-n-부틸 아연, 디이소부틸 아연, 디-n-펜틸 아연, 디-n-헥실 아연, 디시클로 헥실 아연, 디에틸 카드뮴, 디메틸 카드뮴, 디페닐 카드뮴, 디-n-프로필 카드뮴, 디-n-부틸 카드뮴, 디이소부틸 카드뮴, 디-n-펜틸 카드뮴, 디-n-헥실 카드뮴, 디시클로 헥실 카드뮴, 디에틸 수은, 디메틸 수은, 디페닐 수은, 디-n-프로필 수은, 디-n-부틸 수은, 디이소부틸 수은, 디-n-펜틸 수은, 디-n-헥실 수은, 디시클로 헥실 수은 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 제어된 양자점의 제조 방법
15 15
제 6 항에 따라 제조된 표면 제어된 양자점을 포함하는 혼합용액을 기판 상에 코팅하는 단계를 포함하는,표면 제어된 양자점을 포함한 박막의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 기판은 상기 기판은 실리콘, 산화실리콘, 유리, 폴리이미드 (Polyimide), 폴리에틸렌 (polyethylene), 폴리디메틸실록산 (Polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (Polyethylene naphthalate, PEN) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인,표면 제어된 양자점을 포함한 박막의 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서,상기 기판 상에 교차전극이 패터닝되어 있는 것인,표면 제어된 양자점을 포함한 박막의 제조 방법
18 18
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 표면 제어된 양자점을 포함하는, 광센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 공유결합성 인공원자 합성 및 응용
2 과학기술정보통신부 성균관대학교 중견후속연구(연평균연구비 2억원~4억원 이내) III-V 나노결정 양자소재 표면연구 및 소자 적용