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(A) 수지성분 및 (B) 아자이드계 광가교제를 포함하는 절연성 수지 조성물로서, 상기 (A) 수지성분은, (a) 메틸메타크릴레이트, (b) (C3-C7)알킬(메타)아크릴레이트, (c) 포화이가산화합물과 히드록시(C2-C7)알킬(메타)아크릴레이트로부터 제조된 단량체 및 (d) 지환족고리 또는 방향족고리를 포함하는 중합성 단량체를 포함하여 중합된 것인, 절연성 수지 조성물
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제 1항에 있어서,상기 (B) 아자이드계 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 절연성 수지 조성물
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제 1항에 있어서,상기 아자이드계 광가교제는 하기 화학식 2로 표시되는 것인, 절연성 수지 조성물
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제 3항에 있어서,상기 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 F 또는 Cl이고, p 내지 s는 각각 독립적으로 3 또는 4인, 절연성 수지 조성물
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5
제 1항에 있어서,상기 (d) 지환족고리 또는 방향족고리를 포함하는 중합성 단량체는 스티렌, 벤질(메타)아크릴레이트 또는 시클로헥실(메타)아크릴레이트에서 선택되는 어느 하나 이상인 것인, 절연성 수지 조성물
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제 1항에 있어서,상기 (d) 지환족고리 또는 방향족고리를 포함하는 중합성 단량체는 C1-C20불화알킬(메타)아크릴레이트를 더 포함하는 것인, 절연성 수지 조성물
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7
제 1항에 있어서,상기 포화이가산화합물은 숙신산, 말산, 아디프산, 글루타르산에서 선택되는 어느 하나 이상인 것인, 절연성 수지 조성물
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8
제 1항에 있어서,상기 (A) 수지성분과 (B) 아자이드계 광가교제는 70:30 내지 99:1 중량비로 포함되는 것인, 절연성 수지 조성물
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9
제 1항에 있어서,상기 (A) 수지성분은 고형분 총량 기준으로 (a) 메틸메타크릴레이트 10~35중량%, (b) (C3-C7)알킬(메타)아크릴레이트 5~25중량%, (c) 포화이가산화합물과 히드록시(C2-C7)알킬(메타)아크릴레이트로부터 제조된 단량체 10~40중량%, (d) 지환족고리 또는 방향족고리를 포함하는 중합성 단량체 5~25중량%로 포함되는 것인, 절연성 수지 조성물
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10
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 절연성 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 절연체
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11
제 10항에 있어서,상기 절연체는 탈이온수에 대한 표면에너지가 40 mJ/m2이하인, 절연체
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12
기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 전극 상에 형성되며, 상기 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 절연성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 전하 수송층; 및 상기 전하 수송층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는, 유기전자소자
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13
제 12항에 있어서,상기 절연층의 두께는 10nm 내지 400nm 범위인, 유기전자소자
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14
제 12항에 있어서,상기 절연층은 1kHz에서의 유전상수가 5 이상인, 유기전자소자
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15
제 12항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기메모리, 유기감광체 또는 유기광센서인, 유기전자소자
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