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기판;Au 및 Pt 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 비활성 금속층; 하프늄 산화물 층; 및Cu 및 Ag 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 전기화학적 활성 금속층을 포함하며, 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판, 상기 전기화학적 비활성 금속층, 상기 하프늄 산화물 층, 및 상기 전기화학적 활성 금속층 순으로 적층된, 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 하프늄 산화물 층 및 상기 전기화학적 활성 금속층 사이에 할라이드 물질층을 추가 포함하는, 멤리스터 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 할라이드 물질층은 전도성 채널로서 기능하는 것인, 멤리스터 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 할라이드 물질층은 SnCl2, PbCl2, PbBr2 및 PBI2 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리, SiO2, PET, PEN, 및 PI 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 멤리스터 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전기화학적 비활성 금속층, 하프늄 산화물 층, 및 전기화학적 활성 금속층은, 각각 독립적으로, 크로스바 배열 패턴 및 사각형 배열 패턴 중에서 선택되는 적어도 하나의 배열 패턴을 가지는 것인, 멤리스터 소자
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(a) 기판 상에 전기화학적 비활성 금속을 증착하여 전기화학적 비활성 금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 전기화학적 비활성 금속층 상에 하프늄 금속 타겟 및 하프늄 산화물 세라믹 타겟 중에서 선택되는 하나 이상을 이용하여 하프늄 산화물 층을 스퍼터링 방법으로 형성하는 단계; 및(c) 상기 하프늄 산화물 층 상에 전기화학적 활성 금속을 증착하여 전기화학적 활성 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 멤리스터 소자를 제조하는, 멤리스터 소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 하프늄 산화물 층은 반응성 rf-스퍼터링을 이용하여 증착되는 것인, 멤리스터 소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 하프늄 산화물 층은 상온, 아르곤 : 산소 비율이 10 : 1, 10 mTorr의 분압 및 100 W의 rf 파워 조건 하에서 증착되는 것인, 멤리스터 소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 전기화학 활성 금속층은 열증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착되는 것인, 멤리스터 소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (b) 및 (c) 사이에, 상기 하프늄 산화물 층 상에 할라이드 물질층을 증착하는 단계를 추가 포함하는, 멤리스터 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 할라이드 물질층의 두께는 전구체의 양을 조절함으로써 제어되는 것인, 멤리스터 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 할라이드 물질층은 열증착법을 이용하여 증착되는 것인, 멤리스터 소자의 제조방법
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