| 1 |
1
비스무트-안티모니 2원계 합금 나노와이어이며, 하기 식 1 및 식 2를 만족하는 합금기반 n-형 열전 나노와이어
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 2원계 합금에서 비스무트 : 안티모니의 원소비는 1 : 0
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 Z는 - 120 μVK-1 이하인 합금기반 n-형 열전 나노와이어
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 2원계 합금 나노와이어의 길이 방향에 수직으로 나노와이어를 가로지르는 가상의 분석선에 따른, 에너지 분산 X 선 분광법을 이용한 원소별 강도 분석 결과인 라인 프로파일(line profile)이 하기 식 3을 만족하는 합금기반 n-형 열전 나노와이어
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 나노와이어의 단축 직경은 50 내지 500nm인 합금기반 n-형 열전 나노와이어
|
| 6 |
6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 n-형 열전 나노와이어의 제조방법으로, a) 산화물층을 갖는 기판 상에 비스무트 박막을 형성하는 단계;b) 비스무트 박막이 형성된 기판을 제1열처리하여 비스무트 나노와이어를 성장시키는 단계;c) 비스무트 나노와이어 표면에 안티모니를 증착하여 비스무트-안티모니 코어-쉐스(sheath) 나노와이어를 제조하는 단계; 및d) 비스무트-안티모니 코어-쉐스(sheath) 나노와이어를 제2열처리하여 비스무트-안티모니 2원계 합금 나노와이어를 제조하는 단계;를 포함하는 합금기반 n-형 열전 나노와이어의 제조방법
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 기판의 열팽창 계수를 산화물층의 열팽창 계수로 나눈 비는 3 이상인 n-형 열전 나노와이어의 제조방법
|
| 8 |
8
제 6항에 있어서,상기 b) 단계의 제1열처리는 비스무트의 녹는점(℃)인 Tm(Bi)를 기준으로, 0
|
| 9 |
9
제 6항에 있어서,상기 d) 단계의 제2열처리는 하기 식 4를 만족하는 온도에서 수행되는 n-형 열전 나노와이어의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서,상기 d) 단계의 제2열처리는 Tm(Bi) 보다 낮은 온도에서 수행되는 저온 열처리와 Tm(Bi) 보다 높은 온도에서 수행되는 고온 열처리를 포함하며, 저온 열처리와 고온 열처리가 교번 수행되는 n-형 열전 나노와이어의 제조방법
|
