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페로브스카이트층 상에 아민계 부동태화제를 포함하는 페로브스카이트형 발광다이오드로서, 상기 페로브스카이트층은 페로브스카이트층 상의 납(Pd) 이온과 아민계 부동태화제인 에틸렌디아민(etylenediamin; EDA)의 질소 원자 간의 배위결합을 통해 페로브스카이트층 표면과 내부에 부동태화제가 코팅되거나, 침투 및 삽입되어(embedded) 페로브스카이트층의 결함 부위(defect site)를 부동태화 시킨 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 페로브스카이트형 발광다이오드는 페로브스카이트층의 결함 부위(defect site)가 부동태화됨으로써, 장치 안정성이 개선되고, 광 발광(PL)의 점멸 현상이 억제되었으며 향상된 광 발광 효율을 나타내는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 페로브스카이트형 발광다이오드는,애노드(anode) 기판;상기 애노드(anode) 기판 상에 코팅된 정공수송층;상기 정공수송층 상에 코팅된 페로브스카이트층으로서, 상기 페로브스카이트층은 아민계 부동태화제를 포함하여 페로브스카이트층 상의 납(Pd) 이온과 아민계 부동태화제의 질소 원자 간의 배위결합을 통해 페로브스카이트층 표면과 내부에 부동태화제가 코팅되거나, 침투 및 삽입되어(embedded) 페로브스카이트층의 결함 부위(defect site)를 부동태화 시킨 페로브스카이트층;상기 페로브스카이트층 상에 코팅된 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 증착된 캐소드(cathode)를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 3에 있어서, 상기 애노드(anode) 기판은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물 및 플루오린화주석산화물(FTO)로 이루어진 군에서 선택되어 코팅된 유리 기판 또는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 3에 있어서, 상기 정공수송층은 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜):폴리(스티렌설포네이트)[PEDOT:PSS], 폴리(4-부틸페닐-디페닐-아민)[Poly-TPD], 폴리(9-비닐카바졸)[PVK], 폴리(p-페닐렌 설파이드), 폴리(p-페닐렌 비닐렌)[PPV], 폴리(3-메틸티오펜), 폴리피롤, 폴리아닐린 및 P형 금속산화물로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 3에 있어서, 상기 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An-1BnX3n+1(n은 2 내지 6 사이의 정수)의 구조를 포함하며, 상기 A는 유기암모늄 또는 알칼리 금속물질이고, 상기 B는 금속물질이고, 상기 X는 할로젠 원소인 것을 특징으로 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 6에 있어서, 상기 A는 (CH3NH3)n, ((CxH2x+1)nNH3)2(CH3NH3)n, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2, (CnF2n+1NH3)2 (n은 1 이상인 정수), 또는 알칼리 금속, Li, Na, K, Rb, Cs, Fr 이고, 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po, 또는 이들의 조합이고, 상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 3에 있어서, 상기 전자수송층은 SPW-111, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), 2,5-디아릴 실롤 유도체, 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(Bphen), 디페닐포스피네 옥사이드-4-(트리페닐실릴일)페닐(TSPO1) 및 1,3,5-트리(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(TPBI)으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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청구항 3에 있어서, 상기 캐소드(cathode)는 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 인듐, 리튬, 은, 납 및 세슘으로 이루어진 군에서 하나 또는 둘 이상 선택된 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드
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애노드(anode) 기판 상에 정공수송층을 코팅하는 단계; 상기 정공수송층 상에 페로브스카이트 전구체 혼합용액을 코팅하여 페로브스카이트층을 형성하는 단계; 상기 페로브스카이트층 상에 에틸렌디아민(etylenediamin; EDA)을 코팅하여 페로브스카이트층 상의 납(Pd) 이온과 에틸렌디아민의 질소 원자 간의 배위결합을 통해 페로브스카이트층 표면과 내부에 에틸렌디아민이 코팅되거나, 침투 및 삽입되어(embedded) 페로브스카이트층의 결함 부위(defect site)를 부동태화 시키는 단계; 상기 에틸렌디아민이 코팅된 페로브스카이트층 상에 전자수송층을 코팅하는 단계; 및 상기 전자수송층 상에 캐소드(cathode)를 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드(Perovskite Light-Emitting Diodes; PeLED) 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 페로브스카이트 전구체 혼합용액은 PbBR2 및 MABr을 1:1
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청구항 11에 있어서, 상기 에틸렌디아민은 극성용매 중 0
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청구항 11에 있어서, 상기 페로브스카이트층의 결함 부위(defect site)를 부동태화 시키는 단계는 에틸렌디아민을 1,500 내지 3,000 rpm으로 30 내지 60초간 페로브스카이트층 상에 회전 코팅하는 단계인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트형 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 따른 페로브스카이트형 발광다이오드를 포함하는 태양전지
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