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제1 방향으로 연장된 복수의 제1 도전 라인들을 포함하는 제1 전극;상기 제1 방향에 대하여 일정한 각도를 가지는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 도전 라인들을 포함하는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치여 전기적으로 절연하는 유전층;을 포함하고,상기 제1 전극은, 제1 직경을 가지는 제1 나노 구조체와 상기 제1 직경에 비하여 작은 제2 직경을 가지는 제2 나노 구조체가 서로 결합하여 형성한 하이브리드 구조체를 포함하며,상기 제1 나노 구조체는, 100 nm 이상 내지 10 ㎛ 이하의 범위의 상기 제1 직경을 가지고, 상기 제2 나노 구조체는, 10 nm 이상 내지 100 nm 이하의 범위의 상기 제2 직경을 가지며,상기 제1 나노 구조체는 주 전도 경로를 형성하고,상기 제2 나노 구조체는 상기 제1 나노 구조체가 이루는 빈 공간에 배치되어 상기 제1 나노 구조체를 전기적으로 연결시켜 보조 전도 경로를 제공하여, 상기 제1 나노 구조체의 전도 경로가 단락되는 경우에, 상기 제2 나노 구조체에 의하여 전도 경로를 제공하고,상기 제1 나노 구조체와 상기 제2 나노 구조체의 비율은 10:90 내지 90:10의 범위를 가지고,상기 제1 전극의 상기 제1 도전 라인들은 0 ㎛ 초과 내지 50 ㎛ 이하 범위의 폭을 가지고, 2 ㎛ 이상 내지 50 ㎛ 이하 범위의 간격을 가지고, 550 nm의 광에 대하여 55% 초과 내지 93 % 미만 범위의 투과도를 가지고, 0
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청구항 1에 있어서,상기 제2 전극의 상기 제2 도전 라인들은 0 ㎛ 초과 내지 150 ㎛ 이하 범위의 폭을 가지고, 2 ㎛ 이상 내지 50 ㎛ 이하 범위의 간격을 가지는, 지문 센서용 투명 전극 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 교차되어 구성되는 단위 셀은 각각 10 fF 이상 내지 500 μF 이하의 범위의 캐패시턴스를 가지는, 지문 센서용 투명 전극 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 유전층은 10 nm 이상 내지 50 ㎛ 이하의 범위의 두께를 가지는, 지문 센서용 투명 전극 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 유전층은 2 이상 내지 15 이하의 범위의 유전 상수를 가지는, 지문 센서용 투명 전극 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 제1 전극 상에 배치된 덮개층을 더 포함하고, 상기 덮개층은 4 이상 내지 15 이하의 범위의 유전 상수를 가지고, 70% 이상 내지 100% 미만의 투과도를 가지는, 지문 센서용 투명 전극 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제1 나노 구조체와 상기 제2 나노 구조체가 서로 결합하여 형성한 하이브리드 구조체를 포함하는, 지문 센서용 투명 전극 구조체
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 따른 지문 센서용 투명 전극 구조체를 포함하는 지문 센서
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청구항 12에 있어서,10 kHz 이상 내지 1 MHZ 이하 범위의 구동 주파수를 가지는, 지문 센서
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청구항 12에 있어서,1 V 이상 내지 100 V 이하 범위의 구동 전압을 가지는, 지문 센서
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