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에너지 하베스팅 장치로서,신축성 및 도전성이 있는 제1기재, 상기 제1기재의 상면 상에 형성되어 있는 제1나노로드들, 상기 제1기재 및 상기 제1나노로드들의 외주면에 형성되고 친수성 및 소수성 중 어느 하나를 가지는 제1박막층, 및 외력이 가해지지 않으면 상기 제1박막층으로부터 이격되어 형성되되, 상기 제1박막층이 친수성이면 소수성을 갖고, 상기 제1박막층이 소수성이면 친수성을 갖는 제1박막의 물질층을 포함하는 제1부재;상기 제1부재의 상면으로부터 이격되어 배치되어 있되, 신축성 및 도전성이 있는 제2기재를 포함하는 제2부재;상기 제1부재 및 상기 제2부재의 이격 배치 공간을 채워서 상기 제1부재와 상기 제2부재가 일체가 되도록 패키징하고, 상기 제1박막의 물질층과 동일한 물질인 수지 매트릭스; 및도전성이 있는 상기 제1부재 및 상기 제2부재와 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제1박막층 및 상기 제1박막의 물질층 사이에서 발생하는 마찰전기를 수집하는 에너지 수집부를 포함하는 에너지 수집모듈을 포함하며,상기 제1박막층은,자기조립단분자막층(Self-Assembled Monolayer, SAM)으로 형성되고,상기 에너지 하베스팅 장치에 외부로부터 외력이 가해지면, 상기 에너지 수집모듈은, 상기 제1박막층과 상기 제1박막의 물질층의 접촉과 분리가 반복되어, 상기 제1박막층과 상기 제1박막의 물질층의 마찰전기 시리즈(triboelectric series)에서의 값의 차이로 인하여 생성되는 전류를 수집하는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1기재는 탄소 복합체로 형성되는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제2기재는 탄소 복합체로 형성되는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1기재는 비도전성 물질로 형성되고,상기 제1부재는,상기 제1기재 상에 형성되며, 상기 에너지 수집모듈에 전기적으로 연결되는 제1전극을 더 포함하는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제2기재는 비도전성 물질로 형성되고,상기 제2부재는,상기 제2기재 상에 형성되며, 상기 에너지 수집모듈에 전기적으로 연결되는 제2전극을 더 포함하는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1나노로드들은 산화아연 또는 산화구리로 형성되는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 6에 있어서,상기 제1박막의 물질층은 폴리디메틸실록산으로 형성되는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1박막층은 소수성이고, 상기 제1박막의 물질층은 친수성인 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1박막층은 친수성이고, 상기 제1박막의 물질층은 소수성인 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 수지 매트릭스는 상기 제1부재 및 상기 제2부재를 둘러싸도록 더 형성되어 있는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1박막의 물질층의 두께는 8 내지 12 마이크로미터인 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1기재와 상기 수지 매트릭스는 동일 물질로 형성되는 에너지 하베스팅 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제2기재와 상기 수지 매트릭스는 동일 물질로 형성되는 에너지 하베스팅 장치
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신축성 및 도전성이 있는 제1기재를 준비하는 단계, 상기 제1기재의 상면 상에 제1나노로드들을 성장시키는 단계, 상기 제1기재 및 상기 제1나노로드들 상에 친수성 및 소수성 중 어느 하나를 가지는 제1박막층을 형성하는 단계, 및 외력이 가해지지 않으면 상기 제1박막층으로부터 이격되어 형성되되, 상기 제1박막층이 친수성이면 소수성을 갖고, 상기 제1박막층이 소수성이면 친수성을 갖는 제1박막의 물질층을 포함하는 제1부재를 준비하는 단계;신축성 및 도전성이 있는 제2기재를 포함하는 제2부재를 준비하는 단계;도전성이 있는 상기 제1부재 및 상기 제2부재와 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제1박막층 및 상기 제1박막의 물질층 사이에서 발생하는 마찰전기를 수집하는 마찰 에너지 수집모듈을 연결하는 단계; 및브이에이알티엠을 이용하여 상기 제1부재와 상기 제2부재의 이격 배치 공간을 상기 제1박막의 물질층과 동일한 물질인 수지 매트릭스로 채우고, 상기 제1부재와 상기 제2부재를 일체로 패키징하는 단계를 포함하고,상기 제1박막층은,자기조립단분자막층(Self-Assembled Monolayer, SAM)으로 형성되는 에너지 하베스팅 장치를 제조하는 방법
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청구항 16에 있어서,상기 자기조립단분자막층을 형성하는 단계는,상기 제1기재 상에 상기 제1나노로드들이 형성된 상태에서, 상기 제1기재의 상면 및 상기 제1나노로드들의 표면을 산소 플라즈마 처리하는 단계;상기 산소 플라즈마 처리 후, 상기 제1기재를 밀폐 용기에 넣는 단계; 및상기 밀폐 용기 내부를 가열하여 알칸싸이올(Alkanethiols) 에탄올 용액을 기화시켜서, 상기 제1기재 및 상기 제1나노로드들 상에 상기 알칸싸이올을 흡착시킴으로써 상기 자기조립단분자막층을 형성하는 단계를 포함하는 에너지 하베스팅 장치를 제조하는 방법
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