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하기 수학식 1로 계산되는 곡률 반경을 갖고 150 ㎛ 미만의 두께를 갖는 결정질 실리콘 반도체 기판; 상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 제1면으로부터 수직방향으로 연장하고 서로 이격하여 배열되고 10 ㎛ 이상의 길이를 갖는 복수의 마이크로와이어 구조체;상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 제1면 상에 위치하고, 상기 결정질 실리콘 반도체 기판과 P-N 접합을 형성하는 제1층; 상기 제1층 상에 위치하고, 상기 제1층과 접속된 제1 전극부;상기 제1면과 반대면인 상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 제2면 상에 위치하는 제2층; 및상기 제2층 상에 위치하고, 상기 제2층과 접속된 제2전극부;를 포함하고,상기 복수의 마이크로와이어 구조체들 사이의 거리가 하기 수학식 2에 의해 결정되고,상기 마이크로와이어 구조체의 직경이 하기 수학식 3 내지 5에 의해 결정되는, 태양전지:003c#수학식 1003e#ρ= E x Ts /σ(ρ: 곡률 반경; E: 탄성 계수; Ts: 결정질 실리콘 반도체 기판의 두께/2; σ: 결정질 실리콘 반도체 기판의 인장강도)003c#수학식 2003e#S 003e# 2 x t (S: 마이크로와이어 구조체들 사이의 간격; t: 결정질 실리콘 반도체 기판을 구부리는 경우에, 마이크로와이어 구조체와 결정질 실리콘 반도체 기판이 만나는 기판 표면에서 측정된 응력의 거리)003c#수학식 3003e#Dwire 003e# 2(T1 + T2)(Dwire: 마이크로와이어의 직경; T1: 제1층 두께; T2: 공핍층의 두께)003c#수학식 4003e#(w: 공핍층 두께, ε: 결정질 실리콘의 유전율, q: 전하(쿨롱), V0: 내부 전압(built-in-voltage), NA: 제1층 밀도, ND: 결정질 실리콘 기판 밀도)003c#수학식 5003e#(V0: 내부 전압(built-in-voltage), K: 볼츠만 상수(eV/K), T: 절대온도(K), q: 전하(쿨롱), NA: 제1층 밀도, ND: 결정질 실리콘 기판 밀도, Ni: 진성 결정질 실리콘 기판 밀도
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제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 두께는 50㎛ 이하인, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 곡률 반경이 15 mm 이하인, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 제1도전형을 가지고,상기 제1층은 상기 제1도전형과 반대인 제2도전형을 가지는 불순물이 도핑된 에미터층이고,상기 제2층은 상기 제1도전형을 가지는 불순물이 도핑된 후면 전계층인, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 마이크로와이어 구조체는 원통 형상 또는 테이퍼드 형상인, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 복수의 마이크로와이어 구조체는 격자무늬 패턴으로 배열된, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1층의 두께는 300 내지 400 nm인, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1층 및 제2층 상에 보호층을 더 포함하는, 태양전지
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제9항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, TiO2, Al2O3, 또는 이들의 조합을 포함하는, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 마이크로와이어 구조체들 사이의 거리가 1㎛ 이상인, 태양전지
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제1항에 있어서,상기 마이크로와이어 구조체의 직경이 2㎛ 이상인, 태양전지
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(a) 하기 수학식 1로 계산되는 곡률 반경을 갖고 150 ㎛ 미만의 두께를 갖는 결정질 실리콘 반도체 기판 상에 10 ㎛ 이상의 길이를 갖는 마이크로와이어 구조체를 형성하는 단계; 및(b) 상기 결정질 실리콘 반도체 기판의 제1면 및 제2면에 각각 제1층 및 제2층을 형성하는 단계; (c) 상기 제1층 상에 상기 제1층과 접속하는 제1전극부를 형성하는 단계; 및(d) 상기 제2층 상에 상기 제2층과 접속하는 제2전극부를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 마이크로와이어 구조체들 사이의 거리가 하기 수학식 2에 의해 결정되고,상기 마이크로와이어 구조체의 직경이 하기 수학식 3 내지 5에 의해 결정되는, 태양전지 제조방법:003c#수학식 1003e#ρ= E x T /σ(ρ: 곡률 반경; E: 탄성 계수; T: 결정질 실리콘 반도체 기판의 두께/2; σ: 결정질 실리콘 반도체 기판의 인장강도)003c#수학식 2003e#S 003e# 2 x t (S: 마이크로와이어 구조체들 사이의 간격; t: 결정질 실리콘 반도체 기판을 휘는 경우에, 마이크로와이어 구조체와 결정질 실리콘 반도체 기판이 만나는 기판 표면에서 측정된 응력의 거리)003c#수학식 3003e#Dwire 003e# 2(T1 + T2)(Dwire: 마이크로와이어의 직경; T1: 에미터층 두께; T2: 공핍층의 두께)003c#수학식 4003e#(w: 공핍층 두께, ε: 결정질 실리콘의 유전율, q: 전하(쿨롱), V0: 내부 전압(built-in-voltage), NA: 에미터층 밀도, ND: 결정질 실리콘 기판 밀도)003c#수학식 5003e#(V0: 내부 전압(built-in-voltage), K: 볼츠만 상수(eV/K), T: 절대온도(K), q: 전하(쿨롱), NA: 에미터층 밀도, ND: 결정질 실리콘 기판 밀도, Ni: 진성 결정질 실리콘 기판 밀도
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제13항에 있어서,상기 마이크로와이어 구조체를 형성하는 단계는,상기 결정질 실리콘 반도체 기판을 식각하는 단계를 포함하는, 태양전지 제조방법
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제13항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 제1도전형을 가지고,상기 제1 층은 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 반도체 기판에 도핑하여 형성하고, 상기 제2 층은 상기 제1 도전형을 가지는 불순물을 상기 결정질 실리콘 반도체 기판에 도핑하여 형성하는, 태양전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판과 상기 제1층은 P-N 접합을 형성하는, 태양전지 제조방법
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제13항에 있어서,상기 (b) 단계 이후에, 상기 제1층 및 제2층 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 태양전지 제조방법
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제13항에 있어서,상기 (a) 단계 이후에, 상기 결정질 실리콘 반도체 기판 상에 형성된 마이크로와이어 구조체를 선택적으로 식각하여, 테이퍼드(tapered) 형상의 마이크로와이어를 형성하는 단계를 더 포함하는, 태양전지 제조방법
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제13항에 있어서,상기 결정질 실리콘 반도체 기판은 N형 반도체 기판이고,상기 제1층은 상기 결정질 실리콘 반도체 기판 상에 정공 수송 물질을 도핑하여 형성되는, 태양전지 제조방법
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