| 1 |
1
안테나 장치(antenna device)에 있어서,제1 타입 도핑의 실리콘 기판(silicon substrate);상기 실리콘 기판에서 상기 제1 타입 도핑과 구별되는 제2 타입 도핑에 의하여 형성되는 적어도 2개의 제1 도핑 영역;상기 실리콘 기판에 수직한 방향으로 볼 때 상기 적어도 2개의 제1 도핑 영역을 감싸는 형태의 채널 영역(channel region)의 바깥에서 제2 타입 도핑에 의하여 형성되는 제2 도핑 영역;상기 실리콘 기판 표면 상에 형성되는 유전층(dielectric layer) 상단에서, 상기 실리콘 기판과 이격되어 상기 채널 영역에 대응하여 배치되는 적어도 2개의 게이트를 포함하고,상기 적어도 2개의 게이트가 테라헤르츠 전자기파를 수신하는 경우에 응답하여, 상기 적어도 2개의 제1 도핑 영역과 상기 제2 도핑 영역이 상기 테라헤르츠 전자기파 중 일부 주파수 대역의 전자기파를 흡수하는,안테나 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 도핑 영역은 소스(source) 및 드레인(drain) 중 하나이고,상기 제2 도핑 영역은 상기 제1 도핑 영역이 소스인 경우 드레인이고 상기 제1 도핑 영역이 드레인인 경우 소스인,안테나 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 타입 도핑은 n-타입 도핑 및 p-타입 도핑 중 한 타입 도핑이고,상기 제2 타입 도핑은 나머지 타입 도핑인,안테나 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 일부 주파수 대역은,상기 안테나 장치의 공진 주파수(resonance frequency)에 기초하여 결정되는,안테나 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 적어도 2개의 제1 도핑 영역의 각 중심과 상기 적어도 2개의 제1 도핑 영역을 각각 감싸는 채널 영역의 중심은 서로 이격된,안테나 장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판에 수직한 방향으로 볼 때, 상기 적어도 2개의 제1 도핑 영역은 원형(circular form)이고, 상기 적어도 2개의 게이트는 링형(ring form)인,안테나 장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 적어도 2개의 게이트는,상기 실리콘 기판에 수직한 방향으로 볼 때 상기 채널 영역을 커버하는 영역으로 형성되는,안테나 장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 적어도 2개의 게이트에 대하여 인가되는 외부 전압에 따라 상기 안테나 장치의 공진 주파수가 조절되는,안테나 장치
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 적어도 2개의 게이트가 테라헤르츠 전자기파를 수신하는 경우, 상기 적어도 2개의 제1 도핑 영역과 상기 제2 도핑 영역이 상기 테라헤르츠 전자기파를 흡수함으로써 상기 실리콘 기판의 표면 상에 전기장(electric field)이 형성되는,안테나 장치
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 적어도 2개의 게이트에서 측정되는 전기장의 패턴(pattern) 및 양(amount)이 테라헤르츠 광원의 분극(polarization)에 따라 변화하는,안테나 장치
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 적어도 2개의 게이트는 상기 실리콘 기판에 수직한 방향으로 볼 때 상기 제2 도핑 영역 내 가상의 격자(lattice) 및 상기 제2 도핑 영역의 둘레 중 하나를 따라 서로 이격되어 배치되는,안테나 장치
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제2 도핑 영역은 상기 실리콘 기판에 수직한 방향으로 볼 때 서로 연결되어 마주하는 부채꼴 쌍(pair of sectors)을 포함하는 영역, 원형 영역(circular region), 다각형 영역(polygonal region), 및 타원 영역(ellipse region)중 하나인,안테나 장치
|
