| 요약 |
본 발명은 실리콘 태양 전지 및 실리콘 태양 전지의 제조방법 기술에 관한 것으로, 본 발명의 실리콘 태양전지는, 이리듐 복합체; 및 고분자;를 포함하는 코팅층을 포함한다. [화학식 1](여기서, R1 내지 R4는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되거나 또는 인접한 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 C6~C40의 축합 고리를 형성하고, R5 내지 R8은, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고, R9 내지 R12는, 서로 동일하거나 또는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 하이드록시, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 탄소수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.)
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