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제1 수용 공간, 제1 수용액 및 상기 제1 수용액에 적어도 일부가 잠기는 캐소드를 포함하는 캐소드부;제2 수용 공간, 염기성인 제2 수용액 및 상기 제2 수용액에 적어도 일부가 잠기는 금속의 애노드를 포함하는 애노드부; 및상기 캐소드부와 애노드부를 연결하는 연결부를 포함하며,상기 애노드의 재질은 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)이고,상기 제1 수용액으로 질소산화물(NOx)을 포함하는 기체를 주입하고,상기 제1 수용액으로 주입된 질소산화물은 물과 반응하여 질산(HNO3)을 생성하고, 상기 질산은 수소이온을 공급하고, 상기 수소이온과 상기 캐소드의 전자가 반응하여 수소를 생산하는 배기가스 정화 시스템
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제1 수용 공간, 제1 수용액 및 상기 제1 수용액에 적어도 일부가 잠기는 캐소드를 포함하는 캐소드부;제2 수용 공간, 염기성인 제2 수용액 및 상기 제2 수용액에 적어도 일부가 잠기는 금속의 애노드를 포함하는 애노드부; 및상기 캐소드부와 애노드부를 연결하는 연결부를 포함하며,상기 애노드의 재질은 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)이고,상기 제1 수용액으로 황산화물(SOx)을 포함하는 기체를 주입하고,상기 제1 수용액으로 주입된 황산화물은 물과 반응하여 황산(H2SO4)을 생성하고, 상기 황산은 수소이온을 공급하고, 상기 수소이온과 상기 캐소드의 전자가 반응하여 수소를 생산하는 배기가스 정화 시스템
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삭제
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 연결부는 제1 수용 공간과 상기 제2 수용 공간 사이에 설치되고, 상기 제1 수용액과 상기 제2 수용액의 이동은 차단하고 이온의 이동은 허용하는 다공성 구조의 이온 전달 부재인 배기가스 정화 시스템
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제 4 항에 있어서,상기 이온 전달 부재의 재질은 유리인 배기가스 정화 시스템
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제 5 항에 있어서,상기 이온 전달 부재에는 40 내지 90 미크론, 15 내지 40 미크론, 5 내지 15 미크론 또는 1 내지 2 미크론의 기공이 형성된 배기가스 정화 시스템
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 캐소드부는 생성된 수소를 배출하는 제1 배출구를 구비하고, 상기 제1 배출구는 제1 수용액의 수면보다 위에 위치하는 배기가스 정화 시스템
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 배기가스는 입자크기가 0
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수용액을 수용하는 반응 공간;상기 반응 공간에서 상기 수용액에 적어도 일부가 잠기는 캐소드; 및상기 반응 공간에서 상기 수용액에 적어도 일부가 잠기는 금속 재질의 애노드;를 포함하며,상기 애노드의 재질은 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)이고,상기 수용액으로 주입된 질소산화물은 물과 반응하여 질산(HNO3)을 생성하고, 상기 질산은 수소이온을 공급하고, 상기 수소이온과 상기 캐소드의 전자가 반응하여 수소를 생산하는 배기가스 정화 시스템
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수용액을 수용하는 반응 공간;상기 반응 공간에서 상기 수용액에 적어도 일부가 잠기는 캐소드; 및상기 반응 공간에서 상기 수용액에 적어도 일부가 잠기는 금속 재질의 애노드;를 포함하며,상기 애노드의 재질은 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)이고,상기 수용액으로 주입된 황산화물은 물과 반응하여 황산(H2SO4)을 생성하고, 상기 황산은 수소이온을 공급하고, 상기 수소이온과 상기 캐소드의 전자가 반응하여 수소를 생산하는 배기가스 정화 시스템
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삭제
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 반응 공간은 생성된 수소를 배출하는 제1 배출구를 구비하고, 상기 제1 배출구는 수용액의 수면보다 위에 위치하는 배기가스 정화 시스템
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 배기가스는 입자크기가 0
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