맞춤기술찾기

이전대상기술

터너리 읽기 회로 및 이를 이용하여 터너리 데이터를 읽는 방법

  • 기술번호 : KST2022014987
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 터너리 읽기 회로는, 트릿 라인을 통해 인가되는 신호를 이용하여 SRAM 셀에 저장된 터너리 데이터를 읽기 위한 터너리 읽기 회로에 있어서, 상기 SRAM 셀이 상기 트릿 라인과 연결되었을 때의 상기 SRAM 셀의 변경 전압을 미리 설정된 변화율만큼 증폭하여 증폭 전압을 생성하는 프리 앰프; 및 상기 증폭 전압과 기준 전압 간의 대소를 비교하여 2진 데이터를 출력하여 상기 터너리 데이터를 읽는 비교기를 포함한다.
Int. CL G11C 11/419 (2015.01.01) G11C 11/412 (2006.01.01) G11C 8/08 (2006.01.01)
CPC G11C 11/419(2013.01) G11C 11/412(2013.01) G11C 8/08(2013.01)
출원번호/일자 1020200032859 (2020.03.17)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-2291651-0000 (2021.08.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.17)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성진 울산광역시 울주군
2 박지호 울산광역시 울주군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0282778-11
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0690574-18
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0122582-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0419929-12
7 등록결정서
Decision to grant
2021.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0630332-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트릿 라인을 통해 인가되는 신호를 이용하여 SRAM 셀에 저장된 터너리 데이터를 읽기 위한 터너리 읽기 회로에 있어서,상기 SRAM 셀이 상기 트릿 라인과 연결되었을 때의 상기 SRAM 셀의 변경 전압을 미리 설정된 변화율만큼 증폭하여 증폭 전압을 생성하는 프리 앰프; 및상기 증폭 전압과 기준 전압 간의 대소를 비교하여 2진 데이터를 출력하여 상기 터너리 데이터를 읽는 비교기;를 포함하는, 터너리 읽기 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 프리 앰프는 상기 트릿 라인을 제1 충전 전압으로 선충전(pre-charing)하는, 터너리 읽기 회로
3 3
제2항에 있어서,상기 터너리 읽기 회로는, 제1 비교기 및 제2 비교기를 포함하는 복수 개의 비교기를 포함하고,상기 기준 전압은 제1 기준 전압 및 상기 제1 기준 전압보다 낮은 값의 제2 기준 전압을 포함하고,상기 제1 비교기는 상기 증폭 전압과 상기 제1 기준 전압을 비교하여 제1 하이 전압 데이터 또는 제1 로우 전압 데이터를 출력하고,상기 제2 비교기는 상기 증폭 전압과 상기 제2 기준 전압을 비교하여 제2 하이 전압 데이터 또는 제2 로우 전압 데이터를 출력하는, 터너리 읽기 회로
4 4
제3항에 있어서,상기 SRAM 셀에 하이 전압 데이터 또는 로우 전압 데이터가 저장된 경우,상기 제1 비교기 및 상기 제2 비교기는 모두 하이 전압 데이터를 출력하거나, 모두 로우 전압 데이터를 출력하는, 터너리 읽기 회로
5 5
제3항에 있어서,상기 SRAM 셀에 미들 전압 데이터가 저장된 경우,상기 제1 비교기가 상기 제1 하이 전압 데이터를 출력하고, 상기 제2 비교기는 상기 제2 로우 전압 데이터를 출력하거나,상기 제1 비교기가 상기 제1 로우 전압 데이터를 출력하고, 상기 제2 비교기는 상기 제2 하이 전압 데이터를 출력하는, 터너리 읽기 회로
6 6
제3항에 있어서,상기 터너리 읽기 회로는,상기 비교기의 출력값에 따라 상기 트릿 라인의 상기 출력값에 해당하는 기존 데이터를 복원하는 재기입부;를 더 포함하는, 터너리 읽기 회로
7 7
트릿 라인을 통해 인가되는 신호를 이용하여 SRAM 셀에 저장된 터너리 데이터를 읽는 방법에 있어서,상기 SRAM 셀에 하이 전압 데이터, 로우 전압 데이터 및 미들 전압 데이터 중에 선택된 어느 하나의 데이터를 저장하는 단계;상기 트릿 라인이 상기 SRAM 셀과 연결되었을 때의 상기 트릿 라인의 변경 전압을 미리 설정된 변화율만큼 증폭하여 증폭 전압을 생성하는 단계; 및상기 증폭 전압과 기준 전압 간의 대소를 비교하여 2진 데이터를 출력하여 상기 터너리 데이터를 읽는 단계;를 포함하는, 3진 데이터를 읽는 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 증폭 전압을 생성하는 단계 이전에,상기 트릿 라인을 제1 충전 전압으로 선충전(pre-charing)하는 단계;를 더 포함하는, 3진 데이터를 읽는 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 기준 전압은 제1 기준 전압 및 상기 제1 기준 전압보다 낮은 값의 제2 기준 전압을 포함하고,상기 비교하여 2진 데이터를 출력하는 단계는,상기 증폭 전압과 상기 제1 기준 전압을 비교하여 제1 하이 전압 데이터 또는 제1 로우 전압 데이터를 출력하는 제1 비교 단계; 및상기 증폭 전압과 상기 제2 기준 전압을 비교하여 제2 하이 전압 데이터 또는 제2 로우 전압 데이터를 출력하는 제2 비교 단계;를 포함하는, 3진 데이터를 읽는 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 비교하여 2진 데이터를 출력하는 단계는,상기 SRAM 셀에 상기 하이 전압 데이터 또는 상기 로우 전압 데이터를 저장한 경우,상기 제1 비교 단계 및 상기 제2 비교 단계에서 모두 하이 전압 데이터를 출력하거나, 모두 로우 전압 데이터를 출력하는 것을 특징으로 하는, 3진 데이터를 읽는 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 비교하여 2진 데이터를 출력하는 단계는,상기 SRAM 셀에 상기 미들 전압 데이터를 저장한 경우,상기 제1 비교 단계에서 상기 제1 하이 전압 데이터를 출력하고, 상기 제2 비교 단계에서 상기 제2 로우 전압 데이터를 출력하거나,상기 제1 비교 단계에서 상기 제1 로우 전압 데이터를 출력하고, 상기 제2 비교 단계에서 상기 제2 하이 전압 데이터를 출력하는, 3진 데이터를 읽는 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 3진 데이터를 읽는 방법은,상기 제1 비교 단계 및 상기 제2 비교 단계의 출력값에 따라 상기 트릿 라인의 상기 출력값에 해당하는 기존 데이터를 복원하여 재기입하는 단계;를 더 포함하는, 3진 데이터를 읽는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 삼성전자㈜ 울산과학기술원 삼성미래기술육성사업 페타급 연결을 위한 신개념 터너리 CMOS 소자 기술 및 초절전 신경망 표준셀 구현
2 울산과학기술원 울산과학기술원 U-K BRAND 육성사업(미래핵심연구) 다치로직 기반 초저전력 신경망 컴퓨터