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제1 축 방향으로 변위를 가질 수 있는 포논(phonon)을 포함하는 복수의 강유전 도메인; 및상기 포논의 탄성 상호 작용(elastic interaction)을 차단하는 복수의 스페이서를 포함하되,복수의 상기 강유전 도메인 및 복수의 상기 스페이서는, 상기 제1축에 직각인 제2 축을 따라 교대로 그리고 반복하여 배열되는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 항에 있어서,복수의 상기 스페이서는, 외부에서 인가된 전기장으로부터 고정된 분극(polarization)을 갖는 도메인 장벽을 포함하고,상기 도메인 장벽의 호핑(hopping)에 의해, 상기 강유전 도메인의 상기 포논의 변위가 변경되는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 항에 있어서,사방정계(orthombic) 결정 구조를 갖는 하프늄 산화물(HfO2)을 포함하고, 사방정계에서 상기 제1 축 방향에 직각인 제2 축 방향으로 배열된, 하나의 상기 강유전 도메인 및 하나의 상기 스페이서는 상기 하프늄 산화물의 유닛셀을 구성하는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 항에 있어서,Pca21 공간군에 대응되는 사방정계(orthorhombic) 결정 구조를 갖고, 사방정계의 상기 제1 축 방향에 직각인 제2 축 방향으로 배열된 하나의 상기 강유전 도메인 및 하나의 상기 스페이서는 사방정계 결정 구조의 상기 유전 박막의 유닛셀을 구성하는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 항에 있어서,Pca21공간군에 대응되는 사방정계(orthombic) 결정 구조를 갖는 금속 산화물을 포함하고,상기 강유전 도메인은, 상기 제2 축을 따라 상기 금속 산화물의 유닛셀의 절반(half unit-cell)의 폭(width)을 갖고,상기 스페이서는, 상기 강유전 도메인과 동일한 폭을 갖고, 하나의 상기 강유전 도메인 및 하나의 상기 스페이서는 상기 금속 산화물의 유닛셀을 구성하는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 항에 있어서,Pca21 공간군에 대응되는 사방정계(orthormbic) 결정 구조를 갖는 하프늄 산화물(HfO2)을 포함하고,상기 강유전 도메인은, 상기 제2 축을 따라 3Å 이하의 폭을 갖고, 하나의 상기 강유전 도메인 및 하나의 상기 스페이서는 상기 하프늄 산화물의 유닛셀을 구성하는 것을 포함하는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 항에 따른 유전 박막;상기 제1 축을 따라 상기 유전 박막 상에 배치되는 상부 전극; 및상기 제1 축을 따라 상기 유전 박막의 하부에 배치되는 하부 전극을 포함하되,상기 유전 박막은, 각각의 상기 강유전 도메인 내의 상기 포논이 상기 제1 축을 따라 일방향 또는 상기 일방향에 반평행한 방향으로 변위를 갖는 다중 유전 박막을 포함하는 멤커패시터
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외부에서 인가된 전기장으로부터 고정된 분극(polarization)을 갖는 스페이서, 및 외부에서 인가된 전기장에 의해 분극(polarization)이 제어되는 강유전 도메인이 교대로 그리고 반복적으로 제공되고,하나의 상기 스페이서 및 하나의 상기 강유전 도메인이 유닛셀을 구성하는 것을 포함하는 유전 박막
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제8 항에 있어서,제1 분극 값을 갖고, 복수의 상기 유닛셀을 포함하는 제1 영역; 및제2 분극 값을 갖고, 복수의 상기 유닛셀을 포함하는 제2 영역을 포함하되,상기 제1 영역에 포함된 복수의 상기 유닛셀의 상기 스페이서가 상기 강유전 도메인보다 낮은 분극을 가져, 상기 제1 영역의 분극 값이 제1 펄스 값을 갖고,상기 제2 영역에 포함된 복수의 상기 유닛셀의 상기 스페이서가 상기 강유전 도메인보다 높은 분극을 가져, 상기 제2 영역의 분극 값이 제2 펄스 값을 갖는 것을 포함하는 유전 박막
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제9 항에 있어서,상기 제1 영역의 평균 분극 값은, 상기 제1 영역에 포함된 복수의 상기 강유전 도메인의 분극 값보다 낮고,상기 제2 영역의 평균 분극 값은, 상기 제2 영역에 포함된 복수의 상기 강유전 도메인의 분극 값보다 높은 것을 포함하는 유전 박막
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제9 항에 있어서,상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역의 평균 분극 값은, 복수의 상기 강유전 도메인 각각의 분극 값의 반값(half value)인 것을 포함하는 유전 박막
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제8 항에 있어서,사방정계의 유닛셀 단위로, 분극이 제어되어 다중 유전율 갖는 것을 포함하는 유전 박막
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제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 배치되는 제8 항에 따른 유전 박막을 포함하되,상기 유전 박막 내의 복수의 상기 강유전 도메인 및 복수의 상기 스페이서는, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 교대로 횡방향으로 적층(lateral stacking)되는 것을 포함하는 멤커패시터
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