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제1 패시베이션층, 제2 패시베이션층; 및 상기 제1 및 제2 패시베이션층 사이에 실리콘 웨이퍼층; 을 포함하고,상기 제1 패시베이션층은, P(VDF-TrFE)를 포함하는 다공성 강유전체 박막인 것인, 광전소자
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제1항에 있어서,상기 다공성 강유전체 박막의 다공성이 1% 내지 80%인 것인, 광전소자
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제1항에 있어서,상기 제1 패시베이션은 양극으로 분극처리된 것인,광전소자
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제1항에 있어서,상기 다공성 강유전체 박막의 비표면적(specific surface area) 값이 0
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제1항에 있어서,상기 다공성 강유전체 박막의 기공은, 직경이 0
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제1항에 있어서,상기 다공성 강유전체 박막의 두께는 0
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7
제1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼층의 일면은, 3차원 구조체, 다공성 3차원 구조체 또는 이 둘로 텍스쳐링되고,상기 제2 패시베이션층은, 상기 텍스쳐링된 구조체에 따라 형성된 것인, 광전소자
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8
제1항에 있어서,상기 제2 패시베이션층은, 질화물, 산화물 또는 이 둘을 포함하는 무기물층; 및 상기 무기물층 상에 형성된 유기 유전체층; 을 포함하는 것인, 광전소자
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9
제8항에 있어서,상기 유기 유전체층은, PEDOT:PSS, PAA, PMMA, 및 Nafion으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인,광전소자
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10
실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 웨이퍼의 타면에 제2 패시베이션층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 제1 패시베이션층은, P(VDF-TrFE)를 포함하는 다공성 강유전체 박막을 포함하는 것인,광전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 웨이퍼 상에 용액 공정으로 제1 패시베이션 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 광전소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 패시베이션 박막을 형성하는 단계는, 유기용매에 P(VDF-TrFE)를 첨가하여 제1 혼합용액을 제조하는 단계;상기 제1 혼합용액에 물을 첨가하여 제2 혼합용액을 제조하는 단계; 및상기 제2 혼합용액으로 코팅막을 형성하는 단계; 를 포함하는 것인,광전소자의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 제2 혼합용액으로 코팅막을 형성하는 단계 이후에, 상기 코팅막을 열처리하는 단계;를 더 포함하고,상기 열처리하는 단계는, 100 ℃ 내지 200 ℃의 온도 범위에서 30 초 내지 6 시간 동안 수행되는 것인, 광전소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼의 타면에 제2 패시베이션층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링된 표면 상에 제2 패시베이션층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 광전소자의 제조방법
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