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1
P형 반도체 층; 상기 P형 반도체 층의 일 측의 양 가장자리에 각각 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 상기 P형 반도체 층에 대하여, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 배치된 측의 반대 측에 배치되는 유전체 층; 상기 유전체 층에 대하여 상기 P형 반도체 층의 반대 편에, 상기 유전체 층과 이격되도록 배치되며, 상기 유전체 층에 단속적으로 접촉하는 제3 전극;을 포함하는, 열전발전소자
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청구항 1에 있어서, 상기 유전체 층은 상기 제3 전극과의 접촉에 의해 음전하로 대전되며, 상기 제3 전극은 상기 유전체와의 접촉에 의해 양전하로 대전되는, 열전발전소자
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3
청구항 2에 있어서, 상기 유전체 층은, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 선에 평행하게 배치되는, 열전발전소자
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4
청구항 2에 있어서, 상기 유전체에 대전된 음전하는 상기 P형 반도체 층에 전계 효과를 주어, 상기 P형 반도체 층에 정공을 유도하는, 열전발전소자
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5
청구항 2에 있어서, 상기 제2 전극에 고온을 형성하고 상기 제1 전극에 저온을 형성하면, 상기 제2 전극과 상기 제1 전극 사이에 전위차가 발생하는, 열전발전소자
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6
청구항 5에 있어서, 상기 제3 전극이 상기 유전체와 접촉될 때 상기 제2 전극과 상기 제1 전극 사이의 전위차가, 상기 제3 전극이 상기 유전체와 이격될 때 상기 제2 전극과 상기 제1 전극 사이의 전위차보다 큰, 열전발전소자
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| 7 |
7
청구항 2에 있어서, 상기 제3 전극과 상기 유전체가 접촉될 때 상기 P형 반도체 층에 유도되는 정공이, 상기 제3 전극과 상기 유전체가 이격될 때 상기 P형 반도체 층에 유도되는 정공보다 더 많은, 열전발전소자
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8
N형 반도체 층; 상기 N형 반도체 층의 일 측의 양 가장자리에 각각 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 상기 N형 반도체 층에 대하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 배치된 측의 반대 측에 배치되는 제1 대전층; 상기 제1 대전층에 대하여 상기 N형 반도체 층의 반대 편에, 상기 제1 대전층과 이격되도록 배치되며, 상기 제1 대전층에 단속적으로 접촉하는 제2 대전층;을 포함하는, 열전발전소자
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9
청구항 8에 있어서, 상기 제1 대전층은 상기 제2 대전층과의 접촉에 의해 양전하로 대전되며, 상기 제2 대전층은 상기 제1 대전층과의 접촉에 의해 음전하로 대전되는, 열전발전소자
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10
청구항 9에 있어서, 상기 제1 대전층은, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 선에 평행하게 배치되는, 열전발전소자
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11
청구항 9에 있어서, 상기 제1 대전층에 대전된 양전하는 상기 N형 반도체 층에 전계 효과를 주어, 상기 N형 반도체 층에 전자를 유도하는, 열전발전소자
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12
청구항 9에 있어서, 상기 제2 전극에 고온을 형성하고 상기 제1 전극에 저온을 형성하면, 상기 제2 전극과 상기 제1 전극 사이에 전위차가 발생하는, 열전발전소자
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13
청구항 9에 있어서, 상기 제2 대전층과 상기 제1 대전층이 접촉될 때 상기 N형 반도체 층에 유도되는 전자가, 상기 제2 대전층과 상기 제1 대전층이 이격될 때 상기 N형 반도체 층에 유도되는 전자보다 더 많은, 열전발전소자
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14
서로 이격되어 배치된 P형 반도체와 N형 반도체; 상기 P형 반도체와 상기 N형 반도체의 일 측에서 상기 P형 반도체와 N형 반도체를 연결하는 상부전극; 상기 상부전극의 반대 측에서 상기 N형 반도체와 접촉하는 제1 하부전극; 상기 상부전극의 반대 측에서 상기 P형 반도체와 접촉하는 제2 하부전극; 상기 N형 반도체의 적어도 일 면에 접촉하되, 상기 상부전극과 상기 제1 하부전극을 연결하는 선에 평행하게 배치되는 양전하 대전체; 상기 P형 반도체의 적어도 일 면에 접촉하되, 상기 상부전극과 상기 제2 하부전극을 연결하는 선에 평행하게 배치되는 음전하 대전체;상기 양전하 대전체와 이격되어 배치되며 상기 양전하 대전체와 단속적으로 접촉했을 때 음전하로 대전되는 제3 전극; 상기 음전하 대전체와 이격되어 배치되며 상기 음전하 대전체와 단속적으로 접촉했을 때 양전하로 대전되는 제4 전극;을 포함하는, 열전발전 모듈
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15
청구항 14에 있어서, 상기 제3 전극은 외력에 따라 단속적으로 상기 양전하 대전체와 접촉하고, 상기 양전하 대전체는 상기 N형 반도체에 전계 효과를 주는, 열전발전 모듈
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16
청구항 15에 있어서, 상기 전계 효과로 인해 상기 N형 반도체에 전자가 유도되는, 열전발전 모듈
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17
청구항 14에 있어서, 상기 제4 전극은 외력에 따라 단속적으로 상기 음전하 대전체와 접촉하고, 상기 음전하 대전체는 상기 P형 반도체에 전계 효과를 주는, 열전발전 모듈
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18
청구항 17에 있어서, 상기 전계 효과로 인해 상기 P형 반도체에 정공이 유도되는, 열전발전 모듈
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