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금속 그리드 패턴층을 포함하는 투명 기판을 준비하는 단계;그래핀층을 준비하는 단계; 및 상기 금속 그리드 패턴층 상에 상기 그래핀층을 전사하는 단계;를 포함하는 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법으로서,상기 금속 그리드 패턴층을 포함하는 투명 기판을 준비하는 단계는, 포토리소그래피(Photolithography) 공정으로 투명 기판 상에 금속 그리드 패턴을 형성하고,상기 금속 그리드 패턴은, 선폭 1 μm 내지 10 μm, 너비 80 μm 내지 300 μm 및 대각선 길이 100 μm 내지 300 μm를 포함하고,상기 그리드 패턴은, 육각형 형태이고,상기 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극은, 2
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제1항에 있어서,상기 금속 그리드 패턴의 선폭, 너비 및 대각선 길이 중 적어도 어느 하나를 조절하여 투명전극의 면저항, 광투과도 또는 이 둘을 조절하는 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 그리드 패턴층을 포함하는 투명 기판을 준비하는 단계는:투명 기판 상에 포토레지스트층을 도포하는 단계,상기 포토레지스트층을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,상기 포토레지스트 패턴이 형성된 투명 기판 상에 금속층을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 금속 그리드 패턴을 형성하는 단계, 를 포함하는 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명 기판은, 유리, 쿼츠, 투명 폴리머 및 사파이어로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은, Au, Pt, Cu, Ag, Al, Ni, Fe, Cr, In, Ru, Pd, Rh, Ir 및 Os로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 그리드 패턴의 높이는, 30 nm 내지 300 nm인 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀층을 준비하는 단계는: 구리 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계,상기 그래핀층 상에 전사용 지지층/스탬프층을 형성하는 단계, 및 상기 구리 기판을 제거하는 단계,를 포함하는 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 구리 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계는, CVD에 의해 상기 구리 기판 상에 그래핀을 합성하는 것인, 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀층은, 단일 또는 복수 층이고,상기 그래핀층의 두께는, 1
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금속 그리드 패턴층을 포함하는 투명기판; 및상기 금속 그리드 패턴층 상에 위치한 그래핀층;을 포함하는 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극으로서,상기 그래핀층은, 상기 금속 그리드 패턴층의 금속 그리드 패턴을 둘러싸는 입체적 표면을 갖고, 상기 금속 그리드 패턴은, 선폭 1 μm 내지 10 μm, 너비 80 μm 내지 300 μm 및 대각선 길이 100 μm 내지 300 μm를 포함하고,상기 그리드 패턴은, 육각형 형태이고,상기 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극은, 2
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제11항의 금속 그리드/그래핀 하이브리드 투명전극을 포함하는, 광전자 소자
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제13항에 있어서,상기 광전자 소자는, 유기태양전지인 것인, 광전자 소자
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