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희생층이 매립된 기판을 준비하는 단계와,스트레인 제공부 마스크를 식각 마스크로 식각하여 스트레인 제공부를 형성하는 단계와, 상기 희생층을 노출시키는 단계와, 상기 희생층을 제거하여 상기 스트레인 제공부가 형성된 층상 구조물(layer shape structure)을 형성하는 단계 및상기 스트레인 제공부 상부에 이차원 물질을 배치하는 단계를 포함하는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자 광원 제조 방법은, 상기 스트레인 제공부 상부에 이차원 물질을 배치하는 단계 이전에상기 층상 구조물에 연결된 제1 전극과 상기 희생층이 제거된 상기 기판에 연결된 제2 전극을 형성하는 과정을 더 포함하는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 희생층이 매립된 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판인 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 반도체 기판이며, 상기 희생층은 상기 반도체의 산화막인 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스트레인 제공부는, 표면으로 돌출된 돌출부 및 상기 표면에서 함몰된 함몰부 중 어느 하나인 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스트레인 제공부를 형성하는 단계는, 상기 스트레인 제공부 마스크를 식각 마스크로 하는 이방성 식각 과정을 수행하는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 층상 구조물(layer shape structure)을 형성하는 단계는, 상기 희생층을 습 식각(wet etch)하여 제거하여 수행하는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 층상 구조물은,상기 희생층이 제거되어 노출된 기저층과 이격된 구조로, 멤브레인 구조(membrane structure) 및 캔틸레버 구조(cantilever structure) 중 어느 하나인 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이차원 물질은, WSe2, hBN, MoS2 및 그래핀(Graphene)으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자 광원 제조 방법은, 어레이로 배치된 상기 양자 광원을 제조하는 양자 광원 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 과정은, 금을 증착하여 수행하는 양자 광원 제조 방법
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기저층과 이격된 층상 구조물;상기 층상 구조물에 형성된 스트레인 제공부;상기 스트레인 제공부에 배치된 이차원 물질;상기 이차원 물질에 연결된 제1 전극 및상기 기저층에 연결된 제2 전극을 포함하는 양자 광원
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제12항에 있어서, 상기 층상 구조물은, 상기 기저층과 물리적으로 이격되며,상기 기저층과 전기적으로 절연된 양자 광원
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제12항에 있어서, 상기 층상 구조물은, 멤브레인 구조(membrane structure) 및 캔틸레버 구조(cantilever structure) 중 어느 하나인 양자 광원
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제12항에 있어서, 상기 이차원 물질은,WSe2, hBN, MoS2 및 그래핀(Graphene)으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 양자 광원
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제12항에 있어서, 상기 층상 구조물은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 제공된 바이어스에 의하여 변형되는 양자 광원
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제16항에 있어서, 상기 층상 구조물은 변형되어 상기 양자 광원의 발광 파장을 제어하는 양자 광원
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제12항에 있어서, 상기 스트레인 제공부는 표면 상으로 돌출되거나, 표면 내로 함몰된 구조인 양자 광원
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제18항에 있어서, 상기 이차원 물질은, 상기 스트레인 제공부가 제공한 스트레인에 의하여 국소적으로 밴드 갭(local band gap) 변화가 발생하여 엑시톤을 트랩(trap)하는 양자 광원
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