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(i) 고분자 막을 펜톤(Fenton) 반응시켜 표면 및 기공 내에 수산화기가 생성된 고분자 막을 제조하는 단계;(ii) 상기 고분자 막을 테트라에틸 오소실리케이트 또는 테트라에틸 오소타이타네이트와 반응시켜 표면 및 기공 내 수산화기로부터 세라믹 나노 입자가 성장된 고분자 막을 제조하는 단계; 및 (iii) 상기 세라믹 나노 입자의 표면을 소수성 물질로 개질하여 초소수성 고분자 분리막을 제조하는 단계;를 포함하는,막 표면 및 기공 내에 성장되어 소수성 개질된 세라믹 나노 입자를 이용한 초소수성 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (i) 단계 전에 고분자 막을 제막하여 평평한 형태의 고분자 막을 제조하는 단계를 포함하는, 막 표면 및 기공 내에 성장되어 소수성 개질된 세라믹 나노 입자를 이용한 초소수성 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 막은 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 또는 폴리테트라플루오로에틸렌인, 막 표면 및 기공 내에 성장되어 소수성 개질된 세라믹 나노 입자를 이용한 초소수성 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (i) 단계 전에 상기 고분자 막 표면을 플라즈마 처리하여 표면 기공의 크기가 증가된 고분자 막을 제조하는 단계를 포함하는, 막 표면 및 기공 내에 성장되어 소수성 개질된 세라믹 나노 입자를 이용한 초소수성 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (ii) 단계에서 세라믹 나노 입자는 SiO2 또는 TiO2 나노 입자인, 막 표면 및 기공 내에 성장되어 소수성 개질된 세라믹 나노 입자를 이용한 초소수성 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (iii) 단계에서 소수성 물질은 상기 세라믹 나노 입자와 반응할 수 있는 실란(Silane) 계열 또는 인산 계열의 물질인, 막 표면 및 기공 내에 성장되어 소수성 개질된 세라믹 나노 입자를 이용한 초소수성 분리막의 제조방법
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