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전해질에 침지된 복수의 광전극; 및상기 전해질에 침지된 상대전극;을 포함하며,상기 복수의 광전극은 상기 상대전극과 전기적으로 병렬 연결되고,상기 복수의 광전극은,제1광전극; 및상기 제1광전극보다 장파장의 빛을 흡수하는 제2광전극;을 포함하며,상기 제2광전극은,제2전도성 기판;상기 제2전도성 기판 상에 위치하는 제2광흡수층; 및상기 제2광흡수층 상에 위치하며, TiO2를 포함하는 표면처리층;을 포함하는 광전기화학 셀
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제1항에 있어서,상기 복수의 광전극은,각각 반도체를 포함하며,빛이 조사되는 방향을 기준으로, 전방부터 상기 반도체의 밴드갭 에너지가 큰 광전극 순서로 배치된 광전기화학 셀
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제1항에 있어서,상기 복수의 광전극은,각각 반도체를 포함하며,모두 n type 반도체로 이루어진 조합 또는 모두 p type 반도체로 이루어진 조합으로 구성된 광전기화학 셀
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제1항에 있어서,상기 상대전극 방향으로부터 조사된 빛이 순차적으로 상기 제1광전극 및 제2광전극에 흡수되는 광전기화학 셀
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5
제4항에 있어서,상기 제1광전극은,제1전도성 기판; 및상기 제1전도성 기판 상에 위치하는 제1광흡수층;을 포함하며,상기 제1광흡수층은,SiO2, TiO2, WO3, Fe2O3, SnO2, ZnO, ZrO2, In2O3, MoS2, BiVO4, SrTiO3, CaTiO3 및 KTaO3 중에서 선택되는 하나 이상의 반도체를 포함하는 광전기화학 셀
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제5항에 있어서,상기 제1전도성 기판은 FTO로 구성되고,상기 제1광흡수층은 BiVO4를 포함하는 광전기화학 셀
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제6항에 있어서,상기 BiVO4는 Mo로 도핑되되,Bi:(V+MO)의 원자비가 1:0
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제5항에 있어서,상기 제1광전극은,상기 제1광흡수층 상에 위치하는 제1조효소층;을 더 포함하며,상기 제1조효소층은,FeOOH 및 NiOOH을 포함하는 광전기화학 셀
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9
제4항에 있어서,상기 제2광흡수층은,SiO2, TiO2, WO3, Fe2O3, SnO2, ZnO, ZrO2, In2O3, MoS2, BiVO4, SrTiO3, CaTiO3 및 KTaO3 중에서 선택되는 하나 이상의 반도체를 포함하는 광전기화학 셀
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제9항에 있어서,상기 제2전도성 기판은 FTO로 구성되고,상기 제2광흡수층은 Fe2O3을 포함하는 광전기화학 셀
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제10항에 있어서,상기 Fe2O3은 Ti로 도핑되되,Fe:Ti의 원자비가 1:0
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제1항에 있어서,상기 제2광전극은,상기 표면처리층 상에 위치하는 제2조효소층을 더 포함하며,상기 제2조효소층은,니켈철혼합산화물을 포함하는 광전기화학 셀
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제1항에 있어서,상기 전해질은 pH 9 내지 10의 중탄산 칼륨 수용액인 광전기화학 셀
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복수의 광전극을 준비하는 단계;상대전극을 준비하는 단계; 및상기 복수의 광전극 및 상대전극을 전해질에 침지시키고, 상기 복수의 광전극을 상기 상대전극과 전기적으로 병렬 연결하는 단계;를 포함하며,상기 복수의 광전극을 준비하는 단계는,제1전도성 기판 상에 제1광흡수층을 위치시켜 제1광전극을 준비하는 단계; 및제2전도성 기판 상에 제2광흡수층을 위치시켜 제2광전극을 준비하는 단계;를 포함하고,상기 제1광전극을 준비하는 단계는,비스무스 원료물질, 바나듐 원료물질, 몰리브덴 원료물질 및 제1용매를 혼합하여 제1전구체 용액을 제조하는 과정;상기 제1전구체 용액을 FTO로 구성되는 상기 제1전도성 기판 상에 적하하고, 건조 및 열처리하여 제1광흡수층을 형성시키는 과정; 및수소화붕소 분해 방법을 이용하여 상기 제1광흡수층을 환원 처리하는 과정;을 포함하는 광전기화학 셀 제조방법
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제15항에 있어서,상기 제1광흡수층을 형성시키는 과정에서는,상기 제1전도성 기판 상에 적하하는 상기 제1전구체 용액의 부피는 10㎕ 초과, 80㎕ 미만인 광전기화학 셀 제조방법
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제15항에 있어서,상기 제1광흡수층을 형성시키는 과정 이후에는,황산화철 용액 및 황산화니켈 용액을 상기 제1광흡수층 상에 증착하여 FeOOH 및 NiOOH을 포함하는 제1조효소층을 형성시키는 과정;을 더 포함하는 광전기화학 셀 제조방법
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제15항에 있어서,상기 제2광전극을 준비하는 단계는,철 원료물질, 티타늄 원료물질, 폴리머 바인더 및 제2용매를 혼합하여 제2전구체 용액을 제조하는 과정; 및상기 제2전구체 용액을 FTO로 구성되는 상기 제2전도성 기판 상에 적하하고, 건조 및 열처리하여 제2광흡수층을 형성시키는 과정;을 포함하는 광전기화학 셀 제조방법
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제21항에 있어서,상기 제2광흡수층을 형성시키는 과정 이후에는,수소화붕소 분해 방법을 이용하여 상기 제2광흡수층을 환원 처리하는 과정;을 더 포함하는 광전기화학 셀 제조방법
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제21항에 있어서,상기 제2광흡수층을 형성시키는 과정 이후에는,산화 티타늄 원료물질 및 제3용매를 혼합하여 코팅액을 제조하는 과정; 및상기 코팅액을 상기 제2광흡수층 상에 코팅하고, 열처리하여 표면처리층을 형성시키는 과정;을 더 포함하는 광전기화학 셀 제조방법
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제23항에 있어서,상기 표면처리층을 형성시키는 과정 이후에는,질산화니켈, 질산화철 및 제4용매를 혼합하여 혼합액을 제조하는 과정; 및상기 혼합액을 상기 표면처리층 상에 적하하고, 건조 및 열처리하여 제2조효소층을 형성시키는 과정;을 더 포함하는 광전기화학 셀 제조방법
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전해질에 침지된 복수의 광전극;상기 전해질에 침지된 상대전극; 및태양전지;를 포함하며,상기 복수의 광전극은 상기 태양전지의 제1전극과 전기적으로 병렬 연결되고,상기 상대전극은 상기 태양전지의 제2전극과 전기적으로 연결되며,상기 복수의 광전극은,제1광전극; 및상기 제1광전극보다 장파장의 빛을 흡수하는 제2광전극;을 포함하며,상기 제2광전극은,제2전도성 기판;상기 제2전도성 기판 상에 위치하는 제2광흡수층; 및상기 제2광흡수층 상에 위치하며, TiO2를 포함하는 표면처리층;을 포함하는 물 전기분해 시스템
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제25항에 있어서,상기 복수의 광전극은,빛이 조사되는 방향을 기준으로, 전방부터 밴드갭 에너지가 큰 순서로 배치된 물 전기분해 시스템
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제25항에 있어서,상기 제2광전극의 일면에는 상기 제1광전극이 절연 부착되고,상기 제2광전극의 타면에는 상기 태양전지의 제2전극이 절연 부착되는 물 전기분해 시스템
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제25항에 있어서,상기 태양전지는,실리콘 태양전지, 염료 감응형 태양전지, 화합물 반도체 태양전지 및 적층형 태양전지 중에서 선택되는 물 전기분해 시스템
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복수의 광전극을 준비하는 단계;상대전극을 준비하는 단계; 및상기 복수의 광전극 및 상대전극을 전해질에 침지시키고, 상기 복수의 광전극을 태양전지의 제1전극과 전기적으로 병렬 연결하고, 상기 상대전극을 상기 태양전지의 제2전극과 전기적으로 연결하는 단계;를 포함하며,상기 복수의 광전극을 준비하는 단계는,제1전도성 기판 상에 제1광흡수층을 위치시켜 제1광전극을 준비하는 단계; 및제2전도성 기판 상에 제2광흡수층을 위치시켜 제2광전극을 준비하는 단계;를 포함하고,상기 제1광전극을 준비하는 단계는,비스무스 원료물질, 바나듐 원료물질, 몰리브덴 원료물질 및 제1용매를 혼합하여 제1전구체 용액을 제조하는 과정;상기 제1전구체 용액을 FTO로 구성되는 상기 제1전도성 기판 상에 적하하고, 건조 및 열처리하여 제1광흡수층을 형성시키는 과정; 및수소화붕소 분해 방법을 이용하여 상기 제1광흡수층을 환원 처리하는 과정;을 포함하는 물 전기분해 시스템 제조방법
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제29항에 있어서,상기 제2광전극을 준비하는 단계 이후에는,상기 제1전도성 기판과 상기 제2광흡수층을 절연 부착하고, 상기 제2전도성 기판과 상기 제2전극을 절연 부착하는 단계;를 더 포함하는 물 전기분해 시스템 제조방법
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